英特尔Ivy Bridge处理器拆解
发布时间：2012-4-19 10:29
发布者：eechina
关键词：
Ivy Bridge , 拆解
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研究机构UBM TechInsights已着手进行英特尔最新一代处理器Ivy Bridge的拆解分析；该款芯片是英特尔首款采用22纳米工艺以及3D晶体管技术的产品，尚未正式上市。有一些媒体猜测，英特尔可能最快会在4月29日发表该款产品，也有传言指出，该芯片的上市时程可能会延迟至7月。 一位英特尔发言人表示，Ivy Bridge处理器“很快”就会正式发表，他补充：“我们从去年底开始就已经进行该芯片的生产。”他的意思应该是指该芯片样本，而UBM TechInsights已经取得了一颗在马来西亚封装，标记为3.3GHz Core i5-3550的Ivy Bridge处理器芯片，其裸晶面积尺寸为170mm2，小于目前Sandy Bridge i7 2600K处理器的208mm2。 在初步测试中，UBM TechInsights发现该处理器芯片内含栅极间距(gate pitch)为90纳米的嵌入式SRAM阵列，还发现栅极长度为22纳米的逻辑区块。半导体产业界大多认为，下一个重要工艺节点是28纳米；包括Altera与Xilinx都已经推出28纳米工艺FPGA，AMD与高通(Qualcomm)也正在委托GlobalFoundries 、台积电等晶圆代工厂生产28纳米芯片。 英特尔的独特22纳米工艺技术是采用了又称为FinFET的3D晶体管，该种技术号称可降低漏电──这也是目前尖端工艺芯片最大的问题。其他芯片厂商也表示，他们将在次20纳米工艺采用类似的技术。 UBM TechInsights将于5月分两阶段公布对Ivy Bridge芯片的拆解报告，第一阶段将包含详细的逻辑架构分析，包括该芯片的制程技术、嵌入式存储器、逻辑栅与I/O晶体管，并有高分辨率的芯片内部图像；第二阶段的报告则将分析该款处理器的晶体管特性，包括其NMOS、PMOS晶体管的DC电气特性分析、栅极数据与沟道泄漏电流。 此外该报告还将显示在三个温度阶层的处理器性能测试结果；分析师将采用扫描与隧穿电子显微镜、扩展电阻测试(Spreading Resistance Profiling)以及X光等技术。以下先披露报告中的几张精彩图片： 
图为Ivy Bridge的隧穿电子显微镜断面图，可看到内部的3D晶体管 
较上方的图片是Ivy Bridge的裸晶，下方则是Sandy Bridge i7 2600K |
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