三星重返全球 DRAM 市场份额第一
发布时间：2026-1-9 09:48
发布者：eechina
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1月8日，三星电子发布2025年第四季度业绩数据。这家韩国科技巨头不仅以20万亿韩元（约合138亿美元）的营业利润创下单季度历史新高，更在时隔一年后重新夺回全球DRAM市场份额第一的宝座，对长期竞争对手SK海力士实现关键逆转。 根据三星公布的初步财报，2025年第四季度其营业利润同比激增208.2%，销售额达93万亿韩元（约合6430亿元人民币），两项指标均超出市场预期。其中，存储业务贡献突出，营收达37.4万亿韩元（约合259亿美元），环比增长34%，占公司总销售额的40%。细分来看，DRAM业务营收27.7万亿韩元（约合192亿美元），NAND业务营收9.7万亿韩元（约合67亿美元），双双领跑行业。 市场研究机构Counterpoint Research数据显示，三星在2025年第四季度以34.8%的DRAM市场份额重返全球第一，较上一季度提升1.1个百分点，终结了SK海力士自2025年第二季度以来的领跑态势。这一逆转发生在全球存储芯片市场供需严重失衡的背景下，AI算力需求爆发式增长成为关键推手。 
2025年以来，生成式AI的普及推动数据中心对高带宽内存（HBM）和通用DRAM的需求激增。据TrendForce统计，2025年第四季度服务器DRAM价格环比上涨超60%，传统DRAM合约价涨幅达55%-60%，NAND闪存价格涨幅亦超33%。三星电子凭借其10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的量产优势，在2025年第四季度将该产品月产能扩大至20万片晶圆，占其DRAM总产量的三分之一，快速响应市场缺口。 与此同时，三星在HBM领域的追赶策略成效显著。2025年11月，三星向英伟达交付HBM4样品进行资格测试，并计划于2026年上半年启动量产，供货英伟达即将推出的Rubin架构GPU。这一技术突破使其成为首个通过HBM4验证的供应商，在高端AI内存市场抢占先机。尽管SK海力士凭借既有合约在2026年HBM供应量上仍具优势，但三星通过1c制程和基础裸晶（Base Die）的先进设计，实现了数据传输速度的领先。 面对供不应求的市场，三星与SK海力士均采取激进涨价策略。据韩国媒体报道，两家公司计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%-70%，PC和智能手机用DRAM涨幅相近。这一策略基于对需求持续走强的预判——全球超大规模数据中心运营商和云服务商正在大量采购DRAM，甚至愿意支付溢价。 产能布局上，三星宣布投入450万亿韩元（约合2.2万亿元人民币）扩建平泽工厂第五条先进存储产线，目标2028年投产以应对长期需求。而SK海力士虽已锁定2026年全部DRAM和NAND产能，但其HBM4量产时间较三星滞后，且在1c DRAM制程上落后半代，为三星逆转提供了窗口期。 三星的逆袭标志着全球存储芯片市场进入新一轮洗牌。花旗银行预测，三星2026年营业利润将达155万亿韩元（约合1070亿美元），较2025年增长253%；而SK海力士虽预计利润达148万亿韩元（约合1020亿美元），但增速较三星低29个百分点。摩根士丹利分析指出，三星通过技术迭代和产能扩张，正在缩小与SK海力士在HBM领域的差距，同时利用传统DRAM市场的价格弹性巩固优势。 值得关注的是，存储芯片涨价潮已向终端市场传导。社交媒体上“1盒256G DDR5服务器内存价格超400万元”的话题引发热议，PCPartPicker数据显示DDR4和DDR5内存年内涨幅达200%-300%。尽管英伟达等超级大客户凭借议价能力暂未受影响，但中小厂商已面临成本压力，行业分化进一步加剧。 |
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