三星电子半导体部门Q3营业利润同比飙升80%
发布时间：2025-10-30 11:01
发布者：eechina
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10月30日，三星电子公布第三季度财务报告，其半导体部门营业利润同比大幅增长80%，创下三年多来的最高季度盈利纪录。这一成绩远超市场预期，凸显全球人工智能（AI）投资热潮对存储芯片需求的强劲拉动，也标志着三星在经历技术竞争阵痛后，正通过高端产品突破重返行业领先地位。 根据财报，三星电子第三季度整体营业利润达12.2万亿韩元（约合86亿美元），同比增长32.9%；销售额86.1万亿韩元（约合606亿美元），同比增长8.85%，均创历史新高。其中，半导体部门表现尤为突出，营业利润达7万亿韩元（约合49亿美元），环比激增16倍，同比增幅达80%，成为推动集团盈利反弹的核心动力。 市场分析指出，AI服务器对高性能存储芯片的爆发式需求是关键推手。TrendForce数据显示，2025年第三季度，用于AI训练的DRAM芯片价格同比上涨171.8%，NAND闪存价格涨幅亦超30%。三星凭借其全球最大的内存产能，充分受益于这一轮涨价周期。与此同时，公司高带宽存储器（HBM）出货量环比增长70%-80%，HBM3E芯片已通过AMD认证并实现量产，下一代HBM4产品预计2026年大规模供货，进一步巩固其在AI存储市场的竞争力。 财报发布前，三星已连续获得重大订单突破。10月，公司宣布与OpenAI签署“星门计划”（Stargate）芯片供应协议，为其超大规模AI数据中心提供定制化存储解决方案。此外，三星HBM3E芯片通过英伟达认证的进程进入最后阶段，英伟达CEO黄仁勋本周访韩期间，双方高层就技术合作展开深度磋商，市场普遍预期合作将加速落地。 在传统存储领域，三星通过产能优化策略抢占市场份额。Counterpoint报告显示，2025年第三季度，三星以32%的DRAM产量占比和30%的NAND闪存产量占比重返全球第一，超越竞争对手SK海力士。公司计划2026年投入47.4万亿韩元（约合2347亿元人民币）扩大12纳米级DRAM和236层NAND闪存产能，同时推进2纳米制程代工业务，形成从设计到封装的AI芯片全链条竞争力。 行业分析师认为，随着全球AI算力需求以每年40%的速度增长，存储芯片市场将进入长期上行周期。三星凭借其垂直整合能力与规模优势，有望在2026年实现半导体业务营收翻倍，重新定义全球半导体产业格局。 |
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