11种封装的国产碳化硅模块及新工艺顶部散热产品介绍应用
碳化硅（SiC）功率模块是电力电子领域的革命性产品，因其材料特性在高温、高压、高频应用中表现卓越。以下是其核心组成部分及优势分析：一、SiC模块的核心组成部分SiC芯片
开关器件：SiC MOSFET（常用）或JFET，替代传统硅基 IGBT，实现更高开关频率和更低导通损耗。 二极管：SiC肖特基二极管（SBD），无反向恢复 电流，降低开关损耗。
封装结构
辅助元件
栅极驱动 电路：适配SiC器件的高速开关需求，减少寄生参数影响。
二、SiC模块的显著优势材料特性优势
性能提升
低导通损耗：SiC 电阻率极低，导通压降小（如SiC MOSFET的Rdson更低）。 高频开关：开关速度比硅快10倍，减少无源元件（ 电感/ 电容）体积和成本。 低开关损耗：SiC二极管无反向恢复问题，适合高频应用（如光伏 逆变器、 电动汽车）。
系统级效益
应用场景优势
三、挑战与权衡D21 系列碳化硅（SiC）功率模块-顶部散热 1. 系统体积小，成本降低；
2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；
3. 散热能力强；
4. 参数范围：
VDS：1200V ID：32A RDS(on) ：80mΩ
SM8 系列碳化硅（SiC）功率模块-顶部散热 1. 低寄生电感，低热阻；
2. 更优散热性能，安装便捷；
3. 参数范围： VDS：1200V ID：32A RDS(on) ：80mΩ
ME2 （34mm)系列碳化硅（SiC）功率模块 1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷； 2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用； 4. 参数范围： VDS：650~1700V ID：30~300A RDS(on) ：4~80mΩ
ME3(62mm) 系列碳化硅（SiC）功率模块 1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷； 2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用； 4. 参数范围： VDS：650~1700V ID：30~600A RDS(on) ：2~80mΩ
EP (1b)系列碳化硅（SiC）功率模块 1. 采用先进的真空回流焊工艺，Al2O3绝缘陶瓷，最高工作结温150℃； 2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用； 4. 参数范围： VDS：650~1200V ID：30~200A RDS(on) ：6~80mΩ
MEP (2b)系列碳化硅（SiC）功率模块 1. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 2. 适用高温、高频应用； 4. 参数范围： VDS：650~1700V ID：30~300A RDS(on) ：3.3~80mΩ
MED(Ed3) 系列碳化硅（SiC）功率模块 1. 采用真空回流焊工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃； 2. 功率密度高,适用高温、高频应用，超低损耗； 3. 常关功率模块，零拖尾电流，寄生电感小于15nH，开关损耗低； 4. 参数范围： VDS：650~1700V ID：210~1000A RDS(on) ：1.3~8.7mΩ
DCS12(dcm) 系列碳化硅（SiC）功率模块 1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃； 2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗； 3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成； 4. 参数范围： VDS：650~1700V ID：400~1000A RDS(on) ：1.3~6.2mΩ
MEK6 系列碳化硅（SiC）功率模块 1. 最高工作结温175℃； 2. 高功率密度，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用； 4. 参数范围： VDS：650~1700V ID：100~400A RDS(on) ：2.5~25mΩ
MD3 系列碳化硅（SiC）功率模块 1. 采用真空回流焊工艺，AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃； 2. 适用高温、高频应用，超低损耗； 3. 参数范围： VDS：650~1700V ID：300~800A RDS(on) ：1.5~8.3mΩ
HPD 系列碳化硅（SiC）功率模块 1. 最高工作结温175℃； 2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗； 3. 参数范围： VDS：650~1700V ID：400~1000A RDS(on) ：1.3~6.5mΩ
结论SiC模块通过材料特性与设计优化，在效率、功率密度和高温性能上全面超越硅基器件，尤其适合高附加值或对能效敏感的应用。随着成本下降和工艺成熟，SiC将在高压大功率领域加速替代传统硅基方案。 了解更多电力电子信息，请关注公众号:碳化硅MOS与SiC模块技术漫谈
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