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STM32F767VGT6是一款基于Arm Cortex-M7内核的高性能微控制器，工作频率高达216MHz，具备浮点运算单元（FPU）和一整套DSP指令，适用于需要高性能计算的应用场景。
关键参数
核心处理器：ARM® Cortex®-M7
内核规格：32 位单核
速度：216MHz
连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，UART/USART，USB OTG
外设：掉电检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT
I/O 数：82
程序存储容量：1MB（1M x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：-
RAM 大小：512K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 16x12b；D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
器件封装：100-LQFP（14x14）
应用领域
STM32F767VGT6适用于多种应用场景，包括但不限于：
工业控制：适用于工业自动化控制系统、机器人控制、智能电网监控等。
音频处理：由于其强大的处理能力和音频接口，适用于音频处理和多媒体应用。
其他应用：如智能家居、汽车电子、通信设备等，利用其高性能和丰富的外设接口实现复杂的功能和控制。
明佳达电子现货供应基于Arm Cortex-M7内核的STM32F767VGT6微控制器，BSC020N03MSG N通道功率MOSFET。
BSC020N03MSG是一款N-Channel MOSFET，最大漏源电压为30V，最大漏极电流在25A（TA）和100A（TC）之间。该MOSFET采用TDSON-8封装，尺寸为8引脚。BSC020N03MSG适用于服务器、数据通信和电信应用中的电压调节器解决方案，以及笔记本电脑的电源管理。
其性能优势
低导通电阻：具有极低的导通电阻，适用于需要高效能量转换的场合。
小尺寸封装：TDSON-8封装提供了较小的物理尺寸，便于在紧凑的空间内使用。
高可靠性：符合RoHS标准，适用于环保要求高的应用
基本参数
类型：N-Channel MOSFET
漏源电压：30V
最大漏极电流：100A（TC）和25A（TA）
最大漏源导通电阻：0.0025Ω
最大功率耗散：96W（TC）和2.5W（TA）
封装形式：PG-TDSON-8-1
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
广泛的应用：BSC020N03MSG器件适用于需要高电流处理和高温环境的电路设计，特别适合于开关应用，如电机控制、电源管理、LED驱动等。
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