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[供应] [供求] MOSFET 晶体管 BSC020N03MSG / 5M80ZT100I5N MAX® V 复杂可编程逻辑器件

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发表于 4 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: BSC020N03MSG , 5M80ZT100I5N
深圳市明佳达电子,星际金华长期(供应及回收)原装库存器件!
【供求原装器件】MOSFET 晶体管 BSC020N03MSG / 5M80ZT100I5N MAX® V 复杂可编程逻辑器件。
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准!
【回收】只需原装库存器件,须有原厂外包装标签,有库存的朋友,欢迎随时联络我们!

BSC020N03MSG:30V,OptiMOS™ N通道功率 MOSFET 晶体管,PG-TDSON-8
型号:BSC020N03MSG
封装:PG-TDSON-8
类型:MOSFET 晶体管
BSC020N03MSG——产品属性:
系列:OptiMOS™
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):124 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9600 pF @ 15 V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),96W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TDSON-8-1
封装/外壳:8-PowerTDFN

5M80ZT100I5N:MAX® V 复杂可编程逻辑器件(CPLD)IC,TQFP-100
型号:5M80ZT100I5N
封装:TQFP-100
类型:CPLD - 复杂可编程逻辑器件
5M80ZT100I5N——产品属性:
系列:MAX® V
可编程类型:系统内可编程
延迟时间 tpd(1) 最大值:7.5 ns
供电电压 - 内部:1.71V ~ 1.89V
逻辑元件/块数:80
宏单元数:64
I/O 数:79
工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:100-TQFP
供应商器件封装:100-TQFP(14x14)

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