九峰山实验室科研团队全球首创8英寸硅基氮极性氮化镓材料制备
发布时间：2025-3-24 09:36
发布者：eechina
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3月24日，中国光谷传来振奋人心的消息，九峰山实验室科研团队在全球首次成功实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。这一突破性成果不仅打破了国际技术垄断，更为射频前端等系统级芯片在频率、效率、集成度等方面的提升提供了强有力的技术支持，有望推动下一代通信、自动驾驶、雷达探测、微波能量传输等前沿技术的快速发展。 氮化镓（GaN）作为一种重要的半导体材料，其晶体结构的极性方向对器件性能和应用具有决定性影响。根据晶体生长的极性方向，氮化镓主要分为氮极性氮化镓（N-polar GaN）和镓极性氮化镓（Ga-polar GaN）两种相反的极化类型。研究表明，在高频、高功率器件领域，氮极性氮化镓相较于传统的镓极性氮化镓展现出显著的技术优势。然而，由于材料生长条件严苛、工艺复杂等瓶颈制约，目前全球仅有少数机构能够小批量生产2-4英寸氮极性氮化镓高电子迁移率衬底材料，且成本高昂，限制了其大规模应用。 九峰山实验室科研团队此次取得的突破性成果，主要体现在以下几个方面： · 成本控制：团队采用硅基衬底，使该技术能够兼容8英寸主流半导体产线设备，并深度集成硅基CMOS工艺。这一创新举措显著降低了生产成本，为大规模量产提供了便利条件。 · 材料性能提升：制备出的氮极性氮化镓材料兼具高电子迁移率和优异的可靠性，为高频、高功率器件的性能提升奠定了坚实基础。 · 良率提升：团队在制备过程中实现了键合界面良率超过99%的惊人成绩，为大规模产业化奠定了坚实基础。 氮极性氮化镓材料在高频段（如毫米波频段）的性能非常出色，这对于需要高频操作的领域来说至关重要。随着这一技术的成熟和推广，5G/6G通信、卫星通信、雷达系统等高频操作领域有望· · 从中获益，开辟新的应用场景，对产业发展起到革新性推动作用。 九峰山实验室自成立以来，一直聚焦于化合物半导体研发与创新。此次在氮极性氮化镓材料制备领域取得的突破性成果，再次彰显了实验室在半导体材料研发方面的雄厚实力和创新能力。未来，九峰山实验室将继续秉持开放、共享、创新的理念，与产业链各龙头企业通力合作，共同推动化合物半导体技术的进步和产业的发展。 此次全球首创的8英寸硅基氮极性氮化镓材料制备成果，不仅是九峰山实验室科研团队智慧的结晶，更是中国半导体材料研发领域的一项重要里程碑。随着这一技术的不断成熟和应用推广，我们有理由相信，中国将在全球半导体材料研发领域占据更加重要的地位，为推动全球科技进步和产业发展作出更大贡献。 |
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