升级电源和机架架构，满足AI服务器的需求
发布时间：2025-2-24 17:26
发布者：eechina
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英飞凌的CoolSiC和CoolGaN产品非常适用于应对数据中心机架和电源供应单元（PSU）电力需求增长所需的新架构和AC-DC配电配置。 作者：Sam Abdel-Rahman 英飞凌科技电源与传感系统事业部 高级首席系统架构师 前言 人工智能（AI）的迅猛发展推动了数据中心处理能力的显著增长。如图1所示，英飞凌预测单台GPU的功耗将呈指数级上升，预计到2030年将达到约2000 W [1]，而AI服务器机架的峰值功耗将突破惊人的300 kW。这一趋势促使数据中心机架的AC和DC配电系统进行架构升级，重在减少从电网到核心设备的电力转换和配送过程中的功率损耗。 
图1：基于x86和Arm®架构的服务器CPU与GPU和TPU的电力需求对比 图2（右）展示了开放计算项目（OCP）机架供电架构的示例。每个电源架由三相输入供电，可容纳多台PSU；每台PSU由单相输入供电。机架将直流电压（例如，50 V）输出到母线，母线则连接到IT和电池架。 AI的发展趋势要求对PSU功率进行革新，如图2（左）所示。接下来，我们将通过各代PSU的拓扑结构和器件技术建议示例，来逐步介绍这些PSU的演变。 
图2 ：AI服务器PSU的功率演变（左）；服务器机架架构示例（右） AI服务器机架PSU的趋势和功率演进 第一代AI PSU：在相同的架构下提升功率，~5.5-8 kW、50 Vout、277 Vac、单相 当前的AI服务器PSU大多遵循ORv3-HPR标准[9]。相较于先前的ORv3 3 kW标准[9]，该标准的大部分要求（包括输入和输出电压以及效率）保持不变，但增加了与AI服务器需求相关的更新，例如，更高的功率和峰值功率要求（稍后详述）。此外，由于与BBU架的通信方式有所调整，输出电压的调节范围变得更窄。 尽管每个电源架都通过三相输入（400-480 Vac L-L）供电（见图2），但每台PSU的输入仍为单相（230-277 Vac）。图3展示了符合ORv3-HPR标准的第一代PSU的部署示例：PFC级可以采用两个交错的图腾柱拓扑结构，其中，650 V CoolSiC MOSFET用于快臂开关，600 V CoolMOS SJ MOSFET用于慢臂开关。DC-DC级可以选用650 V CoolGaN晶体管的全桥LLC，次级全桥整流器和ORing则使用80 V OptiMOS Power MOSFET。此外，示例还展示了一个中间级，也称“延长保持时间”或“小型升压”，其作用是减小大容量电容器的尺寸。该中间级由一个升压转换器组成，在线路周期掉电事件期间，通过储能电容器放电，以调节LLC输入电压。在正常运行期间，升压转换器保持空闲状态，并通过低阻抗的600 V CoolMOS SJ MOSFET旁路。 
图3：第一代AI PSU的拓扑结构及器件技术示例 第二代AI PSU：增加线路电压，以实现更高的功率，~8-12 kW、50 Vout、277–347 Vac、单相 如上所述，随着机架功率增加到300 kW以上，电源架的功率密度变得至关重要。因此，下一代PSU的设计方向是，在单相架构中实现8 kW至12 kW的输出功率。随着每个机架的功率增加，数据中心中的机架数量在某些情况下，可能会受配电电流额定值和损耗的约束。因此，为了降低交流配电的电流和损耗，部分数据中心可能会将机架的交流配电电压从400/480 V提高到600 Vac L–L（三相），同时将PSU的输入电压从230/277 Vac提高到 347 Vac（单相）。 虽然这一变化有利于数据中心的运行效率和资源利用，但会影响PSU的额定电压和设计。在347 Vac的输入电压下，PFC的输出电压必须设定在575 Vdc左右，这意味着传统的650 V器件的额定电压已无法满足要求。图4展示了一个示例：第一代 PSU使用的两电平图腾柱PFC被替换为400 V CoolSiC MOSFET 的三电平飞电容图腾柱PFC（3-L FCTP PFC）级。多电平功率转换概念使得在使用较低额定电压的开关器件的同时，支持更高的输入电压。凭借多电平拓扑结构的频率倍增效应，3-L FCTP PFC能够带来更高的效率和功率密度。最重要的是，CoolSiC技术针对400 V的较低击穿电压进行了优化，与650 V 和 750 V CoolSiC参考器件相比，其FoM更为优异（见图5（左））。此外，图5（右）显示了导通电阻在整个温度范围内的曲线，其中，400 V CoolSiC MOSFET的RDS(on) 100°C仅比RDS(on) 25°C高11%。RDS(on)与Tj之间的这一平缓关系有助于CoolSiC MOSFET实现更高的RDS(on) typ，从而降低成本并提升开关性能。 
图4：第二代AI PSU的拓扑结构和器件技术示例 
图5：400 V CoolSiC与650 V和750 V CoolSiC对比，具有更优的开关 FoM和稳定的RDS(on)与结温的关系：品质因数（左），RDS(on)与Tj（右） 对于DC-DC级来说，三相LLC拓扑结构是一种理想选择，其中，750 V CoolSiC MOSFET用于初级侧开关，80 V OptiMOS 5 Power MOSFET用于次级全桥整流器和ORing。由于增加了第三个半桥开关臂，该解决方案能够提供更高的功率，有效降低输出电流的纹波，并通过三个开关半桥之间的固有耦合实现自动电流分配。 第三代AI PSU：三相架构与400 V配电，最高功率约为22 kW，400 Vout，480-600 Vac，三相 为了进一步提高机架功率，第三代AI PSU将采用更具颠覆性的机架架构，具体如下： PSU输入：从单相转为三相，以提高功率密度，并降低成本 电源架PSU输出电压：从50 V提升到400 V，以降低母线电流、损耗和成本 图6展示了一个三相输入、400 V输出的PSU部署示例，以及推荐的器件和技术。PFC级采用Vienna整流器，这是一种常用于三相PFC应用的拓扑结构。其主要优势在于采用分离式总线电压设计，因此可以使用650 V器件：通过使用双倍数量的背靠背650 V CoolSiC MOSFET和 1200 V CoolSiC二极管实现。PFC输出配置为分离式电容器，每个电容器电压为430 V，并为全桥LLC转换器供电，该转换器在初级和次级侧均使用650 V CoolGaN晶体管。两个LLC级在初级侧串联，次级侧并联，以向400 V母线供电。 此外，也可以将两个背靠背的650 V CoolSiC MOSFET替换为650 V CoolGaN 双向开关（BDS），后者是真正的常关型单片双向开关。这意味着一个CoolGaN BDS即可取代4个分立式电源开关，以实现相同的RDS(on)，这是因为它在RDS(on)/mm2方面具备更高的芯片尺寸利用率。 
图6：第三代AI PSU的拓扑结构和器件技术示例 WBG为 AI PSU带来的优势 CoolGaN助力实现高峰值功率瞬变 宽禁带（WBG）半导体（例如，CoolGaN[2]）能够在更高的开关频率下，实现最佳效率，使转换器在不影响转换效率的前提下，实现更高的功率密度，因此，成为AI PSU的理想选择。 除了AI PSU的额定功率显著增加外，GPU在运行时还会拉动更高的峰值功率，并产生高负载瞬变（见图7）。因此，DC-DC级的输出必须具有足够的动态响应能力，同时需确保电压的过冲和下冲保持在规定的范围内。通过提升开关频率，并增加控制环路带宽，可以提高DC-DC级的输出动态响应能力。 
图7：AI GPU所需的AI PSU峰值功率 400 V CoolSiC MOSFET可在3-L飞电容图腾柱PFC中实现最高效率 使用 CoolSiC MOSFET 400 V的三电平级飞跨电容图腾柱PFC（3-L FCTP PFC）不仅能够实现更高的交流输入电压（见第2.2节），且相较CoolSiC 650 V和750 V参考器件，其品质因数（FoM）更佳，因此还能提供显著的功率密度和效率优势。经过优化的电感器设计（包括尺寸、材料和绕组）和3L拓扑结构中的RDS(on)选择，结合更低的开关损耗，能够实现平缓的效率曲线：峰值效率超过99.3%，满载效率超过99.15%（见图8）。 
图8：效率对比：3-L FCTP PFC与2-L TP PFC 结论 为了满足数据中心对AI应用的需求，新一轮技术角逐已经启动，推动了机架和PSU的电力需求大幅增长。其中，AI PSU的功率需求已经从3-5.5 kW，提升到8-12 kW（单相）和高达22 kW（三相）。这种需求给数据中心运营商带来了新的挑战，即如何优化数据中心的空间和电力的效率和利用率。应对这些挑战需要采用新的机架架构和AC-DC配电配置，使得基于CoolSiC和CoolGaN的设计处于PSU设计的前沿，致力于实现最佳效率和功率密度。 此外，新的宽禁带器件在新型拓扑结构中也展现了极佳的性价比，例如，在三电平飞跨电容图腾柱PFC中采用400 V CoolSiC MOSFET，或在三相Vienna PFC中使用650 V CoolGaN BDS（详见前文）。 总而言之，英飞凌的功率器件技术组合（硅、碳化硅和氮化镓）和经过优化的栅极驱动IC产品组合，通过混合应用，为当前和下一代平台及趋势的发展提供了支持。这些组合充分利用了三种技术的优势，使PSU设计实现了最佳灵活性，并在效率、功率密度和系统成本之间达成平衡。此外，英飞凌还率先推出了全球首项300毫米氮化镓功率半导体等先进技术，进一步推动了文章[10]中所述的未来设计发展。 点击或扫描二维码，即可了解有关英飞凌硅基、碳化硅基和氮化镓基产品的更多信息。 https://www.infineon.com/cms/en/product/promopages/AI-PSU/ 参考文献 [1] Infineon Technologies AG: We power AI, Online Media Briefing; https://www.infineon.com/dgdl/On ... 5350190112f55a20002 [2] Infineon Technologies AG: Wide Bandgap Semiconductors (SiC/GaN); https://www.infineon.com/cms/en/ ... conductors-sic-gan/ [3] Infineon Technologies AG: GaN transistors (GaN HEMTs); https://www.infineon.com/gan [4] Infineon Technologies AG: Silicon Carbide MOSFET Discretes; https://www.infineon.com/cms/en/ ... -carbide/discretes/ [5] Infineon Technologies AG: Server and data center 3 kW 50 V PSU – Engineering report; https://www.infineon.com/dgdl/In ... ffd0178f986be9e08a7 [6] Infineon Technologies AG: 3300 W CCM bidirectional totem pole with 650 V CoolSiC and XMC– Infineon Technologies application note; https://www.infineon.com/dgdl/In ... e0b016fc2ae66e20040 Infineon Technologies AG: 3.3 kW high-frequency and high-density PSU for server and datacenter applications; https://www.infineon.com/dgdl/In ... b3a0190779314d375eb [7] Infineon Technologies AG: CoolSiC totem-pole PFC design guide and power loss modeling– Infineon Technologies application note; https://www.infineon.com/dgdl/In ... 34701865a064ec24076 [8] Infineon Technologies AG: CoolGaN totem-pole PFC design guide and power loss modeling – Infineon Technologies application note; https://www.infineon.com/dgdl/In ... 047016d95daec4a769a [9] Open Compute Project Foundation: ORv3-HPR standard; https://www.opencompute.org/wiki/Open_Rack/SpecsAndDesigns [10] Infineon Technologies AG: Infineon pioneers world's first 300 mm power gallium nitride (GaN) technology – an industry game-changer; https://www.infineon.com/cms/en/ ... NFXX202409-142.html [11] Infineon Technologies AG: Powering AI PSU solutions; https://www.infineon.com/cms/en/product/promopages/AI-PSU/ |
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