长鑫存储DDR5良品率突破80%，预计2025年中期启动HBM2生产
发布时间：2025-1-3 09:46
发布者：eechina
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近日，长鑫存储在内存芯片领域取得重大进展。长鑫存储成功实现DDR5内存芯片的量产，并且良品率已达80%。 长鑫存储自创立以来，专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售，其产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等众多领域。此次DDR5内存芯片的成功量产，标志着长鑫存储在技术上迈出了坚实的步伐。即便在工艺受限只能采用DUV工艺制造的情况下，长鑫存储通过G3工艺改良达成了这一成果。 目前，已有众多DRAM模组厂商基于长鑫存储的DDR5芯片推出高容量DDR5模块，像金百达和光威等存储品牌已经在销售标注为“国产DDR5”的内存模块，这也表明长鑫存储的产品已经被市场所接受并开始广泛应用。 从制造工艺的角度看，长鑫存储在DDR4制造方面积累了丰富经验，其DDR4芯片生产的良品率已在90%左右。长鑫存储在合肥运营着两间晶圆厂，Fab 1采用19nm工艺专门生产DDR4芯片，月产能为100,000片晶圆；Fab 2运用17nm工艺生产DDR5芯片，月产能为50,000片晶圆。并且其DDR5芯片良品率从最初量产时的50%提升到现在的80%，预计到2025年底，良品率还会进一步提升到90%的水平。 尽管长鑫存储取得了显著的进步，但与国际领先企业如三星和SK海力士等相比，仍存在一定差距。例如，三星和SK海力士等存储器制造商已经引入12nm工艺生产DDR5芯片，相比之下，长鑫存储的产品在功耗和外形尺寸方面存在劣势。 值得关注的是，长鑫存储并未满足于当前的成果。凭借在DDR5上的进展，长鑫存储已经开始推进HBM（高带宽内存）的开发，并且在HBM2上取得了进展，正在进行客户取样，预计2025年中期开始小批量生产HBM2芯片。HBM2内存具有高带宽和低延迟的特性，特别适用于人工智能、数据挖掘和游戏等对高数据吞吐量要求极高的应用场景。 长鑫存储的这一系列成果，不仅是其自身发展的重要里程碑，对中国半导体行业的整体提升也有着积极意义。随着长鑫存储技术能力的提升，业内对其反应积极，半导体分析机构和市场观察者普遍认为，这可能会对国内外内存市场格局产生重要影响，有望促使其他竞争对手加速技术迭代，吸引更多客户并推动新的合作机会。此外，长鑫存储的发展也是国家政策和市场环境共同作用的结果，其未来的发展走向也备受消费者、投资者以及整个行业的关注。 |
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