美光科技与力成科技达成HBM2独家封装协议 加速高端HBM产能布局
发布时间：2025-5-26 15:00
发布者：eechina
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5月26日消息，台媒《经济日报》昨晚援引半导体行业消息人士透露，全球存储芯片巨头美光科技（Micron Technology）已与台湾地区封装测试龙头力成科技（Powertech Technology Inc., PTI）签署独家合作协议，将HBM2内存的封装业务全面外包给力成科技。此举标志着美光在优化全球产能配置、聚焦高端HBM技术领域迈出关键一步，而力成科技则借此首次涉足HBM封装市场，拓展高端封装技术版图。 HBM2需求仍存，美光战略聚焦HBM3E/4 尽管HBM（高带宽内存）技术已迭代至HBM3E量产、HBM4发布的阶段，但市场对成熟产品HBM2（E）的需求仍保持稳定。据业内人士分析，英特尔Gaudi 3系列AI加速器及部分小型芯片企业的定制化AI ASIC仍依赖成本较低的HBM2（E）内存。美光此次将HBM2封装业务外包，旨在释放其位于中国台湾中科先进封装基地的产能，集中资源攻克价值更高的HBM3E和HBM4技术。 力成科技为承接该订单，已启动设备购置计划。消息称，相关设备预计于2025年中逐步到位，下半年进入生产验证阶段，年底前启动小批量试产，2026年实现大规模量产。这一合作将填补力成在HBM封装领域的空白，并推动其技术能力向高端化升级。 美光全球布局提速，力成产能利用率提升 近年来，美光持续加大在HBM领域的投入。2024年，美光宣布将HBM市场份额目标提升至20%，并计划在台湾台中厂区扩建HBM产能。此次将HBM2封装业务委外，既是对现有产能的优化，也是为高端HBM量产腾出空间。 力成科技董事长蔡笃恭此前在法说会上透露，公司正持续增加AI相关及HBM封测技术投入，预计2025年第二季度起，与美光的合作将显著提升其DRAM封测产能利用率。分析人士指出，美光与力成的合作已延续近十年，双方在DRAM及NAND Flash封装领域积累了深厚默契，此次合作将进一步巩固双方在存储芯片供应链中的协同效应。 行业影响：HBM产能博弈加剧 随着AI算力需求爆发，HBM已成为存储芯片厂商争夺的焦点。TrendForce集邦咨询数据显示，2025年HBM价格预计上涨5%-10%，占DRAM总产值比重将超三成。三星、SK海力士等厂商亦在加速扩产，美光通过外包HBM2封装、聚焦高端技术，有望在竞争中占据先机。 对于力成科技而言，此次合作不仅带来订单增量，更标志着其从传统封装向先进封装技术的跨越。力成正通过新建厂房、升级设备等方式，强化在HBM、3D IC等领域的竞争力，以应对存储芯片市场的高端化趋势。 市场分析机构指出，随着AI算力需求持续增长，HBM市场将在未来三年保持高增速。美光与力成的合作能否助力双方在高端市场实现突破，值得持续关注。 |
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