强茂SGT MOSFET第一代系列：创新槽沟技术 车规级60 V N通道 突破车用电子的高效表现
发布时间：2024-11-20 18:11
发布者：eechina
随着汽车产业加速朝向智慧化以及互联系统的发展，强茂推出最新车规级60 V N通道MOSFET系列，采用屏蔽栅槽沟技术(SGT)来支持汽车电力装置。此系列产品具备卓越的性能指标(FOM)、超低导通电阻(RDS(ON))以及最小化的电容，能有效提升汽车电子系统的性能与能源效率，降低导通与切换的损耗，提供更卓越的电气性能。 强茂的60 V N通道SGT-MOSFET提供多种紧密且高效的封装选择，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，为各类电力电子应用提供更为可靠的解决方案。这些MOSFETs皆通过AEC-Q101之认证，具备优异的导通和切换特性，在车用领域中是电源转换、驱动与控制应用的理想选择。此外，可承受结温高达175°C，为现代电子产品提供最佳的设计弹性。 最重要的是强茂在SGT-MOSFETs的产品研发上，不仅推动电动/燃油汽车技术的发展，还致力于促进整个汽车产业链的持续成长与发展，服务广泛涵盖各终端之应用。此外，强茂的产品皆采用符合IEC 61249和EU RoHS 2.0标准的绿色材质，体现了强茂致力于为客户提供高性能、可靠和环保产品的承诺。 什么是屏蔽栅槽沟SGT-MOSFET呢？ 屏蔽栅槽沟MOSFETs (Shielded Gate Trench-SGT) 多使用于中压MOSFETs，被广泛应用于电源供应、工业系统以及汽车设备等高性能的应用领域中，作为核心的电力控制元件。通过加深槽沟深度，其独特的电荷耦合结构可涵盖水平与垂直的耗尽区域，从而在相同的掺杂浓度下提升击穿电压的卓越性能。 
相较于传统槽沟式MOSFETs的特性，SGT-MOSFETs在栅极电极下增加了一个屏蔽电极并与源极相连，使屏蔽栅极在漂移区内减少米勒效应带来的切换损耗。此外，此设计还降低了漂移区的临界电场，使总栅极电荷（Qg, @RDS(on) 3 mΩ）降低了57％，并显著提升了性能指标（FOM）。 主要特性 屏蔽栅槽沟技术 (SGT) 提升效率和性能，满足严苛的电力需求。 AEC-Q101认证 确保在严格的汽车和工业应用中具备卓越的耐用性。 超低导通电阻 将功率损耗降至最低，最大化功率敏感设计的能源效率。 高功率密度封装 紧凑的设计提供强大的功率输出，是多种应用的首选。 可承受高结温 支持在极端环境中稳定运行，能承受高达175℃的温度。 产品应用 汽车电子 先进驾驶辅助系统 (ADAS) 车身控制器 (BCU) 冷却风扇 影音娱乐 / 仪表板 LED照明 马达泵 车载充电器 传感器 USB充电器 / USB集线器 无线充电器 电源供应 发动机控制器 执行器/促动器 电池管理系统 服务器嵌入式系统 工业电子 工业电脑 太阳能逆变器 / 控制器 电风扇 焊接机 60 V N通道第一代SGT系列表 
产品推荐 PJQ5560A-AU 
这款60 V N通道的增强型MOSFET具备优异的FOM (Qg, VGS@10 V, ID@20 A<82 nC) 以及低导通电阻 (RDS(ON), VGS@10 V, ID@20 A<2.6 mΩ)，采用DFN5060-8L封装。该产品符合AEC-Q101认证，并设计为逻辑电平驱动，非常适合用于汽车应用中的先进驾驶辅助系统 (ADAS)、车身及舒适系统，以及汽车信息娱乐系统。 |
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