SK海力士宣布开发HBM3e 16hi产品
发布时间：2024-11-15 09:32
发布者：eechina
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近日，在备受瞩目的SK AI Summit 2024活动上，SK hynix（SK海力士）宣布了一项令人振奋的科技创新成果——正在开发的HBM3e 16hi产品。这款新产品标志着在高性能计算和云服务领域内存技术的重大突破，每颗HBM芯片的容量达到了前所未有的48GB，并预计在2025年上半年进行送样。 SK AI Summit 2024活动以“AI Together, AI Tomorrow”为主题，在首尔三成洞的国际会议中心（COEX）举行，为期两天，吸引了全球AI领域的权威专家和科技企业参与。作为活动的亮点之一，SK hynix在会上正式展示了其最新的HBM3e 16hi产品，并分享了其致力于成为全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）的愿景。 HBM3e 16hi产品采用了先进的MR-MUF（Multi-Rank Memory Ultra-Fast）堆栈制程，通过垂直互联多个DRAM芯片，显著提高了数据处理速度。这一创新使得每颗HBM芯片的容量达到了48GB，为高性能计算和云服务提供了更为强大的内存支持。 据SK hynix介绍，HBM3e 16hi产品的潜在应用包括CSP（云端服务业者）自行研发的ASIC和general purpose GPU（通用型GPU）。在HBM4世代量产前，这款产品有望在HBM3e世代推升位元容量上限，为客户提供大位元容量的选择。以每SiP搭载8颗HBM颗数计算，HBM3e 16hi可将位元容量上限推进至384GB，较现有产品有了显著提升。 SK hynix选择在HBM3e世代追加推出16hi产品，一方面是因为TSMC（台积电）CoWoS-L可提供的封装尺寸将于2026和2027年间扩大，每个SiP可搭载的HBM颗数增加，但后续升级仍面临技术挑战和不确定性。在生产难度更高的HBM4 16hi量产前，HBM3e 16hi可以作为过渡产品，为客户提供高性能和大容量的内存解决方案。 此外，SK hynix还表示，HBM3e 16hi产品的推出将有助于公司在HBM4及HBM4e世代积累高堆栈层数的量产经验，以加速后续产品的量产时程。未来，SK hynix还将继续探索混合键合（hybrid bonding）制程技术，以拓展运算频宽更高的应用客群。 |
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