SK海力士成功开发16Gb LPDDR6内存 1c工艺赋能端侧AI
发布时间：2026-3-10 09:41
发布者：eechina
3月10日，全球半导体存储巨头SK海力士正式对外宣布，已成功基于第六代10纳米级（1c）工艺技术，研发出16Gb LPDDR6 DRAM内存产品，该产品专为端侧AI应用量身打造，重点突破高性能与高能效的双重瓶颈，将为AI手机、AI PC、智能终端等设备提供核心存储支撑，进一步巩固SK海力士在移动内存领域的技术领先地位。
据悉，此次推出的16Gb LPDDR6内存产品，是SK海力士在10纳米级工艺领域的又一重大突破，其基于第六代1c工艺打造，在性能、功耗和架构上均实现全方位升级，相较于上一代LPDDR5X产品，数据处理速度提升33%，基础工作速度突破10.7Gbps，最高可达到JEDEC官方标定的14.4Gbps上限，大幅提升了单位时间内的数据传输量，能够轻松应对端侧AI大模型推理、多模态数据处理等高强度内存需求。 在能效优化方面，该产品通过采用双子通道架构与DVFS（动态电压频率调整）技术，实现了功耗较上一代产品降低20%以上的显著成果，其中双子通道架构可选择性激活必要的数据路径，DVFS技术则能根据芯片运行环境动态调节电压与频率，在高规格游戏、AI推理等高性能需求场景下可提升性能输出，在日常使用场景中则自动降低能耗，完美契合端侧设备对续航与性能的双重要求。 SK海力士相关负责人表示，此次16Gb LPDDR6内存的成功开发，是公司深耕内存技术研发、聚焦端侧AI市场需求的重要成果，继今年1月在CES展会上首次亮相该产品后，目前已完成全球首个1c工艺LPDDR6的开发验证，计划在2026年上半年完成量产准备，下半年正式启动供货，进一步扩展其面向AI应用优化的DRAM产品线。据介绍，该产品采用多项架构革新，包括效率模式、基于LDO的WCK时钟树、动态写入非目标终端匹配等五项关键技术，不仅提升了性能与能效，还增强了数据传输的稳定性与安全性。 随着AI技术向端侧深度渗透，AI手机、AI PC、智能穿戴等终端设备对内存的带宽、容量和能效提出了更为严苛的要求，LPDDR6作为JEDEC官方认证的下一代低功耗内存标准，相较于前代产品在速率、带宽、能效和安全性上均有质的提升，其双子通道架构、片上ECC纠错、PRAC行激活计数防护等特性，此前仅应用于工作站与服务器内存，如今下放至端侧设备，可有效降低高负载下的设备崩溃、闪退概率。 业内分析指出，SK海力士此次16Gb LPDDR6内存的成功开发，不仅填补了自身在1c工艺LPDDR6领域的技术空白，也将进一步推动全球LPDDR6内存的商业化落地进程。当前，端侧AI正进入快速发展期，内存作为核心基础设施，直接决定了端侧AI应用的运行效率与体验，SK海力士的这一突破，将为终端厂商提供更具竞争力的存储解决方案，加速AI终端的迭代升级。同时，该产品的量产也将加剧全球移动内存市场的竞争，推动行业技术持续升级，助力端侧AI应用在更多场景实现普及。 |
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