器件：TPS25858QRPQRQ1，NTHL067N65S3H，IPT60R050G7 规格信息

Mingjiada

TPS25858QRPQRQ1：USB，Type-C 控制器 PMIC 25-VQFN-HR
型号：TPS25858QRPQRQ1
封装：VQFN-25
类型：集成式 USB 充电端口
TPS25858QRPQRQ1 是一款集成式 USB 充电端口解决方案，包括一个同步 DC/DC 转换器，能够提供高达 6.6 A 的电流，并集成了检测和控制功能，用于实现 USB 电池充电 1.2 和 Type-C 端口。
产品属性
应用：USB，Type-C 控制器
电流 - 供电：34µA
电压 - 供电：5.5V ~ 26V
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：25-VQFN-HR（3.5x4.5）


NTHL067N65S3H：650V 40A N通道晶体管 通孔 TO-247-3
型号：NTHL067N65S3H
封装：TO-247-3
类型：N通道MOSFET晶体管
NTHL067N65S3H 产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：67 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 3.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3750 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：266W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
产品特性：
- 700 V @ TJ= 150°C
- 典型值 RDS(on)= 55 m
- 超低栅极电荷（典型值 Qg= 80 nC）
- 低有效输出电容（Typ. Coss(eff.)= 691 pF）
- 100% 通过雪崩测试




IPT60R050G7：N通道MOSFET晶体管 600V 44A
型号：IPT60R050G7
封装：8-PowerSFN
类型：MOSFET晶体管
IPT60R050G7 产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 15.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 800µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2670 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：245W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HSOF-8-2
封装/外壳：8-PowerSFN




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[元器件] TPS25858QRPQRQ1，NTHL067N65S3H，IPT60R050G7（供应，求购）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！