NTHL067N65S3H，NVMFS005N10MCLT1G（晶体管）NVMFS5C670NLAFT1G，NVMFS014P04M8LT1G

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深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！
【供应，求购】晶体管：NTHL067N65S3H，NVMFS005N10MCLT1G，NVMFS5C670NLAFT1G，NVMFS014P04M8LT1G。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！


NTHL067N65S3H：N通道晶体管 通孔 650 V 40A（Tc） 266W（Tc） TO-247-3
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：67 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 3.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3750 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：266W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-3
封装/外壳：TO-247-3


NVMFS005N10MCLT1G：N通道晶体管 表面贴装型 100V 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18.4A（Ta），108A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.1 毫欧 @ 34A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 192μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4100 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），131W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线


NVMFS5C670NLAFT1G：N通道晶体管 表面贴装型 60V 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.1 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 53μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：61W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线


NVMFS014P04M8LT1G：P通道晶体管 40V 表面贴装型 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.5A（Ta），52.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：13.8 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 420μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：26.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1734 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），60W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线