RU20P4C-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

VBsemi

RU20P4C (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。
应用简介：RU20P4C是一款高性能P沟道MOSFET，适用于功率开关、稳压和电流控制等应用。
常见于电源管理、电机驱动和DC-DC变换器等领域模块。