查看: 956|回复: 0

ME2303-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

[复制链接]

VBsemi

发表于 2023-11-16 14:38:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

贸泽电子有奖问答视频，回答正确发放10元微信红包

关键词： ME2303 , MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi

ME2303 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。
应用简介：ME2303是一款高性能P沟道MOSFET，适用于功率开关、稳压和电流控制等应用。
常见于电源管理、电机驱动和DC-DC变换器等领域模块。

ME2303.pdf

295.68 KB, 下载积分: 积分 -1

• 影响SiC MOSFET阈值电压不稳定的因素有哪些？
• 清纯半导体发布第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台主驱芯片导通电阻刷新行业标杆
• Vishay 新款Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET具有卓越的性能
• N沟道功率MOSFET的关键特性
• 紧急出售 – 电子元器件库存(大品牌电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管)
• e络盟正式开售 Diotec Semiconductor 产品
• 瑞萨推出性能卓越的新型MOSFET
• AP30N15D TO-252 150V 30A 52mΩ 先进沟槽MOS 永源微
• mSiC™ MOSFET技术：卓越的性能和稳健性
• 人工智能对数据中心基础设施带来了哪些挑战

返回列表

ME2303-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

相关文章

浏览过的版块