16Mb并口STT-MRAM芯片S3R1608V1M

英尚微电子

    Netsol的STT-MRAM芯片具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

    S3R1608V1M是自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）。数据始终是非易失性的，该设备可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。

    S3R1608V1M具有并行异步接口的完全随机存取存储器。支持x8 I/O模式。x8 I/O模式的页面大小分别为4个字和8个字。采用工业标准44TSOP2、54TSOP2和48FBGA封装。这些封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。该设备提供商业（0℃至70℃）和工业（-40℃至85℃）工作温度范围。