大联大世平集团推出基于onsemi产品的电动汽车(EV)充电桩方案
发布时间:2023-8-1 19:30
发布者:eechina
大联大旗下世平推出基于安森美(onsemi)NTBG022N120M3S和NCD57084产品的电动汽车(EV)充电桩方案。 图示1-大联大世平基于onsemi产品的电动汽车(EV)充电桩方案的实体图 随着电动汽车在全球的渗透率逐渐提升,充电桩的需求也大幅激增。然而由于EV充电桩的用电量动辄高达数百KW,因此要格外注意用电的品质及效率,否则势必会造成电力供应问题。在这种情势下,大联大世平基于安森美(onsemi)NTBG022N120M3S SiC MOSFET和NCD57084隔离驱动IC推出电动汽车(EV)充电桩方案,可适用于600V~900VDC(Max)及6KW输出的EV充电桩产品。 图示2-大联大世平基于onsemi产品的电动汽车(EV)充电桩方案的场景应用图 NTBG022N120M3S是onsemi旗下1200V SiC MOSFET,其针对快速开关应用进行优化,Rds_on(Max)为30mohm@18V(Vgs),栅极电荷Qg(tot)为151nC、容抗Coss为146 pF,该器件适合应用在高电压、大电流及高速切换的操作条件,Vgs(闸源极)最大电压范围为-10V-至+22V,凭借这些特性,使得该产品能够在开关操作中具有低功耗、高效率和高温稳定性。 NCD57084是一款高电流单通道IGBT栅极驱动器,具有2.5kVrms内部电流隔离,专为高功率应用而设计,具有高系统效率和可靠性。该驱动器采用SOIC-8封装,具有软关断和故障报告检测功能。此外,该产品还具有低输出阻抗,可用于增强型IGBT驱动,提供3.3V至20V宽输入偏置电压范围和信号电平,以及高达30V的宽输出偏置电压范围,支持+7A/-7A高峰值输出电流。不仅如此,该器件传播延迟时间短,可以做到精准匹配,并且UVLO阈值小,能够实现偏置灵活性。 除此之外,方案中还配备高效率辅助电源及DC-DC转换器,可进一步提升EV充电桩的充电效率及可靠性。 图示3-大联大世平基于onsemi产品的电动汽车(EV)充电桩方案的方块图 在汽车电动化的热潮下,EV充电桩也将迎来黄金发展时期,对此大联大世平将结合自身丰富的技术经验与onsemi共同加深方案整合能力,为电动汽车发展赋能。 核心技术优势: NTBG022N120M3S(1200V,SiC MOSFET)onsemi第三代半导体碳化硅MOSFET: 1200V SiC MOSFET; Rds_on(Max)=30mohm@18V(Vgs); Gate Charge Qg(tot)=151nC; 容抗Coss=146pF,适合应用在高电压,大电流及高速切换等操作条件; Vgs(闸源极)最大电压范围为-10V至+22V; 建议Vgs sop操作电压-3V至+18V。 NCD57084 onsemi IGBT隔离驱动IC: 具有可程式设计延迟的DESAT保护; 负电压(低至-9V)能力,适用于DESAT; 短路期间的IGBT栅极箝位; IGBT栅极有源下拉; IGBT短路期间软关断; 严格的UVLO准位,实现偏差Bias灵活性; UVLO/DESAT期间的输出部分脉冲回避(重新启动); 3.3V、5V和15V逻辑电压准位输入; 2.5kVrms电压; 高瞬态抗扰度; 高电磁抗扰度。 高效率辅助电源及DC-DC转换器: 在此开发板中,一次侧驱动电路是由外部电源提供,规格为12V/1A,二次侧由NCV3064 IC组成高效率辅助电源,提供+12V至+18V,-3.5VDC电压供驱动电路使用。 方案规格: 输入电压:600V to 800VDC(最大可允许900VDC); 输出功率:6KW; 输出电压:600V; 输出电流:10A; 操作频率:50KHZ。 |
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