Netsol半导体1Mb~16Mb非易失性Parallel STT-MRAM
发布时间：2023-3-31 16:56
发布者：英尚微电子
关键词：
Parallel STT-MRAM , MRAM
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NETSOL自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）。数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的耐久性特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。 Parallel STT-MRAM的容量范围从1Mbit到16Mbit。是一个具有并行异步接口的完全随机存取存储器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允许通过数据字节控制（LB、UB）进行低位和高位字节访问。 它支持异步页面模式功能，以提高读写性能。x16 I/O模式和x8 I/O模式的页面大小分别为4个字和8个字。该设备提供工业（-40℃至85℃）工作温度范围。官方代理英尚微支持提供样品测试。 核心特征 容量:1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb,64Mb 电源供应：1.8V（1.7V～1.95V）或3.3V（2.7V～3.6V） Parallel异步接口x16/x8I/O 数据保存期：10年 读取耐力：无限 擦写耐力:1014 无需外部ECC 封装：48FBGA、44TSOP2、54TSOP2 Netsol 1Mb~16Mb非易失性Parallel STT-MRAM选型表：https://www.sramsun.com/list-831-1.html |
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