Netsol非易性存储Parallel STT-MRAM系列

发布时间:2023-2-23 16:40    发布者:英尚微电子
关键词: MRAM , Netsol
NETSOL在STT-MRAM领域,处于世界领先地位。基于在内存相关领域的丰富开发经验以及低成本、超小型和低功耗内存解决方案设计的专业知识、为工业自动化、网络系统、医疗、游戏、企业数据中心和物联网设备等广泛领域的各种应用程序,提供最优化的定制内存解决方案。

Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说,这是最理想的内存。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。

主要特征
容量:1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb,64Mb
电源供应:1.8V(1.7V~1.95V)或3.3V(2.7V~3.6V)
Parallel异步接口x16/x8I/O
数据保存期:10年
读取耐力:无限
擦写耐力:1014
无需外部ECC
封装:48FBGA、44TSOP2、54TSOP2
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