ASC300N1200MEP2B碳化硅模块(Easy 2B)获得充电桩模块和PCS青睐
发布时间:2023-2-2 17:21
发布者:Eways-SiC
![]() ![]() ASC300N1200MEP2B碳化硅模块(Easy 2B)特点 1. 采用先进的真空回流焊工艺,Al2O3绝缘陶瓷,最高工作结温150℃; 2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗; 3. 适用高温、高频应用; 4. 集成NTC温度传感器,易于系统集成。 |
![]() ![]() ASC300N1200MEP2B碳化硅模块(Easy 2B)特点 1. 采用先进的真空回流焊工艺,Al2O3绝缘陶瓷,最高工作结温150℃; 2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗; 3. 适用高温、高频应用; 4. 集成NTC温度传感器,易于系统集成。 |
集成NTC温度传感器,易于系统集成。 |
SICMOS管 ,sic模块车载OBC,光伏逆变,风能等新能源行业大量采用 |
碳化硅(SiC)现在作为一种成熟的技术,在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业,覆盖工业、能源和汽车等众多领域。 |
SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。 |
碳化硅MOS耐压650V-1200V-1700V-3300V 国产https://pan.baidu.com/s/1CDHqtHi3UZ0gTD4qqppY0A提取pvgr |
FF6MR12W2M1P_B11 拼to拼 |
高功率密度,低寄生电感,低开关损耗 |
碳化硅MOS栅极驱动原理图https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html |
顶起 |
碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点,在电子器件领域有着广泛的应用。 |
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性 - 无源器件/分立半导体 - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-841262-1-1.html |
碳化硅MOSFET驱动设计合订本 https://pan.baidu.com/s/1IGOLO2oMVZ1wYF80zFcc9g提取码uspc![]() |
网友评论