IBIS建模--第3部分：如何通过基准测量实现质量等级为3级的IBIS模型

发布时间：2022-9-23 17:10 发布者：eechina

作者：ADI产品应用工程师Christine C. Bernal，ADI产品应用工程师Janchris Espinoza，ADI产品应用工程师Aprille Hernandez-Loyola

输入/输出缓冲器信息规范(IBIS)是一种行为模型，作为生成器件模型的标准格式而在全球受到欢迎。器件模型的精度取决于行业提供的IBIS模型的质量。因此，为信号完整性仿真提供高质量、可靠的IBIS模型是对客户的坚定承诺。

生成IBIS模型的一种方法是通过仿真，但在某些情况下，设计文件不可用，因而无法从仿真结果生成IBIS模型。在这种情况下，通过基准测量生成IBIS模型是解决这一问题的方法，它能提供高质量和更真实的器件行为模型。图1显示了通过基准测量生成IBIS模型的完整过程。使用实际芯片，提取器件的接收器和驱动器缓冲器行为以表示电流与电压(I-V)数据和电压与时间(V-t)数据。

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