大功率氮化镓芯片NV6128，NV6127，NV6125，NV6123，NV611：电源开关/驱动器 通道 20A 30-QFN
发布时间：2022-8-22 15:14
发布者：xingjijinhua
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大功率氮化镓芯片NV6128，NV6127，NV6125，NV6123，NV611：电源开关/驱动器 通道 20A 30-QFN 规格： 开关类型：通用 输出数：1 比率 - 输入:输出：1：1 输出配置：高压侧或低压侧 输出类型：N 通道 接口：PWM 电压 - 负载：650V 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：10V ~ 24V 电流 - 输出（最大值）：20A 导通电阻（典型值）：70 毫欧 输入类型： 非反相 工作温度：-40°C ~ 125°C（TC） 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：30-QFN（6x8） 封装/外壳：30-PowerVQFN 描述： 是流行的 650 V GaNFast™ 电源 IC 的热增强版本，针对高频和软开关拓扑进行了优化。 FET、驱动器和逻辑的单片集成创建了一个易于使用的“数字输入、电源输出”高性能动力系统构建块，使设计人员能够创建世界上最快、最小、最高效的集成动力系统。 最高的 dV/dt 抗扰度、高速集成驱动和行业标准的薄型、低电感、6 x 8 mm SMT QFN 封装允许设计人员利用简单、快速、可靠的解决方案来利用 Navitas GaN 技术，以实现突破性的功率密度和效率。 特点： GaNFast™ 电源 IC 大冷却垫 使用 CS 电阻时增强散热 单片集成栅极驱动器 宽 VCC 范围（10 至 30 V） 可编程开启 dV/dt 源开尔文接地 200 V/ns dV/dt 抗扰度 800 V 瞬态电压额定值 650 V 连续额定电压 低 70 mΩ 电阻 零反向恢复电荷 ESD 保护 – 2 kV (HBM)、1 kV (CDM) 2 兆赫操作 小型、薄型 SMT QFN 6 x 8 毫米占位面积，0.85 毫米轮廓 最小化封装电感 可持续性 RoHS、无铅、符合 REACH 标准 与 Si 解决方案相比，节能高达 40% 系统级 4kg CO2 碳足迹减少 应用： 交流-直流、直流-直流、直流-交流 QR 反激、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC 谐振、D 类 无线电源、太阳能微型逆变器、LED 照明、电视开关电源、服务器、电信 星际金华，明佳达 供求 大功率氮化镓芯片NV6128，NV6127，NV6125，NV6123，NV611：电源开关/驱动器 通道 20A 30-QFN |
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