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[供应] 器件:RTL8720CM(IoT低功耗SOC),NV6125(氮化镓功率芯片),FF900R12ME7WB11BPSA1,IMW65R107M1HXKSA1

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发表于 2022-11-7 10:41:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: RTL8720CM , NV6125 , FF900R12ME7WB11BPSA1 , IMW65R107M1HXKSA1
型号:RTL8720CM
封装:QFN
类型:WI-FI+蓝牙 IoT(物联网)应用
RTL8720CM 是一款高度集成的单芯片,具有低功耗机制,非常适合 IoT(物联网)应用。 它结合了 Real-M300 CPU(高达 100MHz)、Wi-Fi、蓝牙、无线 MAC/基带/RF 和可配置 GPIO,可用作各种产品应用和控制使用的数字外围设备。 RTL8720CM 的嵌入式存储器配置可实现更简单、更快速的应用程序开发。

型号:NV6125
封装:QFN
类型:氮化镓功率芯片
NV6125 是流行的 NV6115 650 V GaNFastTM 电源 IC 的热增强版本,针对高频和软开关拓扑进行了优化。
NV6125 氮化镓功率芯片,内置驱动器,无需外置驱动器,175mΩ导阻,耐压650V,支持2MHz开关频率,采用散热增强的QFN6*8mm封装,适用于升压,降压,半桥,全桥开关电源等诸多应用场合。

型号:FF900R12ME7WB11BPSA1
封装:模块
类型:1200V、900A 双 IGBT模块
T vj op = 175°C 过载
改进的终端
为 1500 V PV 应用优化的爬电距离
PressFIT 控制引脚和螺钉电源端子
集成 NTC 温度传感器
隔离底板
紧凑而坚固的设计,带有模压端子

型号:IMW65R107M1HXKSA1
封装:TO-247-3
类型:650V 碳化硅 MOSFET晶体管
IMW65R107M1H 650V CoolSiC™ MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,性能可靠且经济高效。

明佳达电子,星际金华(供应/求购)RTL8720CM,NV6125,FF900R12ME7WB11BPSA1,IMW65R107M1HXKSA1。
【供应】只做原装,库存器件,质量保证,价格方面由于浮动不一,请以当天报价为准!
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