（Ruichips锐骏）RUH1H80M、100V/80A N沟道功率MOSFET

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[url=]锐骏半导体[/url][url=]RUH1H80M[/url]是一款[url=]N沟道功率MOSFET[/url]，漏源电压为100V，持续漏极电流为80A（Tc=25℃，VGS=10V），具有低导通电阻、100%雪崩测试和开关速度快等特性，可应用于LED背光、服务器的板载电源和同步整流等。

特性：

> 100V/80A

>  RDS（ON）=6mΩ（典型值）@VGS=10V

>  RDS（ON）=9mΩ（典型值）@VGS=4.5V

>  超低导通电阻

>  开关速度快

>  100%雪崩测试

>  提供无铅绿色器件（符合RoHS标准）

应用：

LED背光

服务器的板载电源

同步整流

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