铁电存储器FRAM与其他内存的比较

发布时间:2021-7-21 16:01    发布者:英尚微电子
关键词: 铁电存储器 , FRAM
FRAM是一种非易失性存储器,因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。英尚微存储芯片供应商可提供产品测试及技术支持。

功能比较


FRAM
EEPROM
FLASH
SRAM
内存类型
非挥发性
非挥发性
非挥发性
易挥发的
写法
覆盖
擦除 + 写入
擦除 + 写入
覆盖
写周期时间
150ns
5ms
10μs
55ns
读/写周期
1013
106
105
无限
升压电路
No
Yes
Yes
No
数据备份电池
No
No
No
Yes


串行FRAM与EEPROM/闪存
与传统的非易失性存储器如EEPROM和Flash相比,FRAM具有写入速度更快、耐用性更高和功耗更低的优势。使用FRAM代替EEPROM和Flash更有优势;

性能改进
由于写入速度快,即使在突然断电的情况下,铁电存储器也能以写入方式存储数据。不仅如此,FRAM可以比EEPROM和Flash存储器更频繁地记录数据。写入数据时,EEPROM和闪存需要高电压,因此比FRAM消耗更多功率。因此,通过使用FRAM,可以延长电池供电的小型设备的电池寿命。
总之,FRAM是;

·能够在突然断电时以写入方式存储数据
·可以进行频繁的数据记录
·能够延长电池供电设备的电池寿命

总成本降低
在工厂对每个产品进行参数写入的情况下,铁电存储器有助于降低制造成本,因为与EEPROM和闪存相比,FRAM可以缩短写入时间。此外,FRAM可以给您一个芯片解决方案,而不是多芯片解决方案,例如2个芯片由EEPROM+Flash组成,或者3个设备由EEPROM+SRAM+电池组成。

·缩短出厂参数写入时间
·减少最终产品中使用的零件数量

并行FRAM与SRAM
具有并行接口的铁电存储器,兼容电池备份SRAM,可以替代SRAM。通过将SRAM替换为FRAM,客户希望获得以下优势。

总成本降低
使用SRAM的系统需要保持电池状态检查。通过更换为FRAM,客户可以从电池检查的维护负担中解脱出来。此外,FRAM不需要SRAM所需的电池插座和防回流二极管及其空间。FRAM的单芯片解决方案可以减少空间和成本。

·免维护;无需更换电池
·设备小型化;可以减少最终产品的许多零件

环保产品
废旧电池成为工业废弃物。通过用FRAM替换SRAM+电池,可以减少不必要的备用电池。

·减少电池处理

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