使用非易失性FRAM替换SRAM时的问题和解决方案
发布时间：2022-1-12 17:20
发布者：英尚微电子
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FRAM是一种非易失性存储器产品，具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点。 富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保证写入寿命超过10万亿次，运行速度与SRAM相同，TSOP封装与SRAM兼容。MB85R8M2TA具有与SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的宽电源电压范围内运行。 在快速页面模式下，FRAM能够运行到25ns，在连续数据传输时，其访问速度与SRAM一样高。与富士通的传统FRAM产品相比，它不仅实现了更高的运行速度，而且降低了功耗。该FRAM的最大写入电流为18mA，比目前的产品低10%，最大待机电流为150μA，低50%。 在某些情况下可以省去SRAM所需的数据备份电池。富士通的FRAM产品可以解决因用非易失性存储器取代SRAM而产生的以下问题： 问题：更改接口设计和PCB设计的额外工作 解决方案：使用与SRAM接口和SRAM封装兼容的FRAM 问题：难以用写入速度非常慢的非易失性存储器替代 解决方案：使用具有快速写入操作的FRAM，页面模式下最大25ns 问题：写入寿命高达10万亿次导致设计限制 解决方案：使用写入寿命高达100万亿次的FRAM |
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