Everspin授权代理1Mb串口mram芯片MR25H10CDF

发布时间:2021-6-24 17:24    发布者:英尚微电子
关键词: Everspin授权代理 , 串口mram , mram , MR25H10CDF
Everspin成立于2006年,是从飞思卡尔分离出来的一家半导体科技公司,以领导非易失性MRAM存储芯片为公司主导致力于非易失性存储芯片的发展,是全球唯一一家专业生产销售磁性随机存取内存(MRAM),目前该产品已经应用于多个行业,如人工智能,金融数据等。

Everspin一款串口mram芯片,型号为MR25H10CDF,工作温度范围:-40℃to+85℃,是一款工业级别的存储芯片,可用于工控设备的应用,特别是对温度有严格要求的应用,存储容量1Mb(128Kx8),数据位宽8位。

MR25H10CDF提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写定时,没有写入延迟和无限读/写耐久性。与其他串行存储器不同,读取和写入都可以在内存中随机发生,写入之间没有延迟。MR25H10是用于使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用的理想内存解决方案。封装采用5mmx6mm Small Flag 8-DFN提供。两与串行EEPROM,FLASH和FERAM产品兼容。

MR25H10CDF在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业(-40℃至+85℃)和AEC-Q100级(-40℃至+125℃)的工作温度范围选项。

MR25H10CDF特点
•没有写延迟
•无限制写耐力
•数据保留超过20年
•电源损耗的自动数据保护
•块写保护
•快速,简单的SPI接口,最高速度为40MHz时钟速率
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业温度
•提供Small Flag 8-DFN RoHS兼容封装
•直接更换串行EEPROM,Flash,Feram
•AEC-Q100等级1选项

MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。everspin MRAM 具有成为通用存储器的潜力,能够将存储器的密度与 SRAM 的速度相结合,同时具有非易失性和节能性。MRAM 可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。这使得 MRAM 适用于汽车、工业、军事和太空应用。


MR25H10CDF 规格书下载

MR25H10.pdf (2.02 MB)
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表