英飞凌OptiMOS TOLx系列推出全新封装:TOLG封装可强化TCoB耐用性,TOLT封装提供优异散热性能

发布时间:2021-6-17 19:52    发布者:eechina
关键词: OptiMOS , 功率MOSFET
近日,电动摩托车、电动叉车与其他轻型电动车(LEV)以及电动手工具和电池管理系统等应用皆需要高额定电流、坚固耐用与更长的使用寿命等要求。英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)通过为电源系统设计人员提供更多选择,以符合其不同的设计需求,并在最小空间内展现最高性能。英飞凌借助创新的TO-Leadless(TOLL)封装,在OptiMOS功率MOSFET TOLx系列推出两款新封装:TOLG(配备鸥翼型导线的TO导线)以及 TOLT(TO导线顶部散热)。TOLx系列皆具备极低的R DS(on) 与超过300 A的高额定电流,可提升高功率密度设计的系统效率。

TOLG封装结合了TOLL与D 2PAK 7针脚封装的最佳功能,与TOLL共用相同的10 x 11 mm 2基底面与电气性能,并增加了与D 2PAK 7针脚相容的弹性。TOLG的主要优势在採用铝绝缘金属基板(Al-IMS)的设计时特别明显。在这些设计中,热扩张係数(CTE)说明材料在温度变化时的形状变化趋势,比铜IMS和FR4电路板更高。

随著时间流逝,电路板上的温度循环(TCoB)会造成封装和PCB之间的焊接点出现裂缝。通过鸥翼型导线的灵活性,TOLG展现出色的焊接点耐用性,在反覆发生温度循环的应用中大幅增加了产品的可靠性。与IPC-9701标准要求相比,全新封装能够展现两倍的TCoB性能。

TOLT封装针对优异的热性能进行优化。此封装在结构方面采用上下翻转的导线,将裸露的金属置于顶端,且每一面都有多条鸥翼型导线,可提供高电流承载的漏极与源极连接。在导线上下翻转的框架中,热量会从裸露的金属顶端穿过绝缘材料,直接传到散热片。与TOLL底部冷却封装相比,TOLT的 R thJA改善了20%,R thJC则改善了50%。这些规格可降低系统物料成本,特别是散热片。此外,由于现在可将组件安装在MOSFET的底部,因此采用TOLT封装的OptiMOS能够减少PCB空间。

供货情况
OptiMOS TOLx 系列的OptiMOS 3 与 5 技术将推出各种电压等级的产品。TOLG 将于2021 年第四季提供 60 V 至 250 V 的广泛产品组合,包括同级最佳和最佳价格性能比的产品。TOLT 目前提供 80 V 和 100 V 电压等级的产品。此外,还提供评估电源板,并採用 TOLG 封装的 100 V OptiMOS 5 功率 MOSFET(IPTG014N10M5)。详细资讯请浏览 www.infineon.com/tolx

本产品将于 6月14日至17 日在2021年应用电子电力大会(APEC)的英飞凌展示平台上展出。有关英飞凌参加 2021 APEC 大会的详细资讯,请浏览 www.infineon.com/APEC

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