惠普与海力士合作开发下一代存储器ReRAM
发布时间：2010-9-1 07:51
发布者：李宽
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惠普周二宣布，已与韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)达成合作协议，共同研发下一代内存技术电阻式内存并将其推向市场。 声明显示，两家公司将合作开发新型材料和技术，实现电阻式内存(ReRAM)技术的商业化。海力士将会采用由惠普实验室研发出的新型元件忆阻器 (memristor)。忆阻器相比现有的固态存储技术能耗更低，速度更快，而且能在断电时存储数据。惠普今年春季称表示，忆阻器也能够执行逻辑。 ReRAM技术的初衷是成为低功耗Flash的替代品。ReRAM还可以模拟Flah、DRAM甚至硬盘。总之，ReRAM可以成为通用存储管道。 惠普表示，忆阻器能够在断电的状态下存储信息，而且能耗极低。这就意味着笔记本电脑运行速度可以更快，一次充电使用时间更长。考虑到如今智能手机应用的繁多，这一技术也将大大延长智能手机的使用时间。 在未来，由于计算和存储功能能够在同一个芯片上实现，笔记本电脑和手机将会变得轻薄得多，而且比现在运行快得多。 |
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