新兴存储器MRAM与ReRAM嵌入式市场
发布时间：2020-11-20 16:01
发布者：英尚微电子
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新兴的记忆已经存在了数十年。尽管有些人已经发现嵌入式技术在商业上取得了一定程度的成功，但它们也落后于离散存储器的高性价比替代方案。尽管具有更高的性能，耐用性和保留性，或者降低了功耗。 磁阻随机存取存储器（MRAM）最早于1980年代开发，并被推广为通用存储器。与其他存储技术不同，MRAM将数据存储为磁性元素，而不是电荷或电流。在性能方面由于使用足够的写入电流，因此MRAM与SRAM类似。但是这种依赖性也妨碍了它以更高的密度与DRAM和闪存竞争的能力。 尽管诸如Everspin之类的MRAM先驱已经在离散应用的嵌入式市场中取得了一些成功，甚至证明它可以处理汽车应用的极端环境，但MRAM仍然是一个利基存储器。 类似电阻式随机存取存储器（ReRAM）尚未成为可行的分立存储器。甚至它在嵌入式市场上的成功也受到了限制。与传统的嵌入式闪存技术相比，它的吸引力包括更低的功耗，更少的处理步骤和更低的电压。它还具有太空和医疗应用的辐射耐受性。 在过去的二十年中，数家公司一直在开发ReRAM技术，但是该方法仍然面临集成和可靠性方面的挑战。像磁阻电阻一样，ReRAM供应商在开发嵌入式ReRAM器件方面取得了一些进展，以增加可用于分立开发工作的收入。Weebit Nano与研究合作伙伴Leti合作，以使分立的ReRAM在商业上可行。同时继续探索该记忆在神经形态和AI应用中的潜力。  Weebit NAno的ReRAM技术使用了两个金属层，中间有一个氧化硅层，由可用于现有生产线的材料组成。 其ReRAM技术的吸引力在于，它利用了可用于现有生产线的材料。 一旦FRAM和MRAM及ReRAM通过资格审查，这将在嵌入式应用程序中创造一个机会。MRAM和ReRAM仍然是新兴的存储器，与此同时其客户正在意识到对快速，廉价内存（如DRAM）的需求。这是一种廉价的内存扩展功能。它允许低成本和内存密集型应用程序。 |
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