一种无采样电阻的功率器件保护方法

发布时间:2015-11-16 11:43    发布者:designapp
关键词: 采样电阻 , 功率器件
  MOSFETIGBT保护方法有很多,有专门带保护的驱动电路,也有用康铜丝做电流采样的保护电路。专门带保护的驱动电路一般成本较高,用康铜丝做电流采样+比较器容易产生振荡。下面介绍一种无采样电阻的方法。
  下面介绍一种无采样电阻的方法:
  


  上图中,Q1是功率管MOSFET或IGBT,R1是负载,D1是采样二极管,R2是上拉电阻。在Q1导通时D1的K极电压就是Q1压降,D1的A极电压在其基础上高了D1压降(Q1压降+D1压降)。D1压降是恒定值,当过载时Q1压降增大,从而ADC采样值增大,大到一定程度时就可以认为是过载,用程序判断之。电路中D1的作用是防止Q1判断时VPOWER流入ADC引脚烧毁MCU
  该方法成本低,是一种行之有效的方法。
                               
               
本文地址:https://www.eechina.com/thread-156436-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表