ST推出新功率MOSFET，实现近乎完美的开关性能
发布时间：2015-9-15 14:38
发布者：eechina
关键词：
功率MOSFET
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）MDmesh M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员，新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决方案，在低负载条件下的节能效果尤为显著，让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源，同时轻松达到日益严格的能效目标要求。
新款600V MDmesh M2 EP产品整合意法半导体经过市场检验的条形布局（strip layout）和全新改进的垂直结构和优化的扩散工艺（diffusion process），拥有接近理想的开关设计，包括超低的导通电阻和最低的关断开关损耗，是特别为甚高频功率转换器（f>150 kHz）专门设计，为要求最严格的电源供应器（PSU, Power Supply Unit）的理想选择。 硬开关和软开关电路拓扑均适用，包括谐振拓扑（resonant topologies），例如LLC谐振，新器件的开关损耗极低，特别是在低负载条件下，低损耗更为明显。除MDmesh M2产品的共性栅电荷量（Qg）极低外，M2 EP产品的关断能量（Eoff）还可降低20%，而在硬开关转换器中，关断开关损耗同样降低20%。在低电流范围内降低Eoff损耗，有助于提高低负载能效，进而帮助电源厂商顺利达到日益严格的能效认证要求。 改进后的关断波形（turn-off waveforms）可提高谐振转换器的能效，降低噪声，每周期回收再利用更多的电能，而不是以散热的形式浪费掉。 新款MDmesh M2 EP系列的主要特性包括： • 极低的Qg（低至16 nC） • 针对轻负载条件优化电容曲线（capacitance profile） • 针对软件开关优化Vth和Rg参数 • 稳健的本体二极管（body diode） MDmesh M2 EP系列瞄准需要高能效的电源应用，提供多种封装选择（PowerFLAT 5x6 HV, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, I2PAKFP, TO-247），所有产品均已量产。 欲了解更多详情，请访问： www.st.com/mdmeshm2 |
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