业界首款在4.5V栅极驱动下额定导通电阻8.5mΩ的80V MOSFET（Vishay）
发布时间：2010-7-9 10:25
发布者：嵌入式公社
关键词：
功率MOSFET
Vishay推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET功率MOSFET --- ThunderFET SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用热增强型PowerPAK SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下，该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161，该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM，单位是nC-mΩ)。
SiR880DP针对通信负载点应用的隔离式DC-DC转换器中初级侧开关进行了优化。非常低的导通电阻意味着可减少功率损耗和实现更绿色的解决方案，尤其是在待机模式这样的轻负载条件下。 器件的4.5V电压等级有助于实现更高频率的设计，在POL应用中大幅降低栅极驱动损耗，并且可以使用电压更低、成本更低的5V PWM IC。截止目前，其他80V功率MOSFET还只能在6V或更高的栅极驱动下才能导通。 SiR880DP经过了完备的Rg和UIS测试。这款采用PowerPAK SO-8封装的MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。 SiR880DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。 |
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