x
x

Diodes推出沟槽型超级势垒整流器,提高下一代充电器效率

发布时间:2015-1-5 11:26    发布者:eechina
关键词: 充电器 , 整流器
Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流 (Trench SBR) 技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。

DI0731(A)-TrenchSBR.jpg

两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36kHz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。

Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15A SBRT15U50SP5,以及为12.5W平板电脑充电器而设的20A SBRT20U50SLP。这类充电器的设计日益纤薄小巧,而且对效率和温度有严格的要求,传统的肖特基 (Schottky) 二极管解决方案已经无法配合。

SBRT15器件在15A的电流下,正向电压为0.47V;SBRT20器件则在20A的电流下达到0.5V的正向电压,加上+90ºC的工作温度,可尽量减少导通损耗并提高充电器效率。SBRT15及SBRT20在+125ºC的高温下,分别达到105mA和100mA的低反向漏电流,有助于把阻断模式损耗降到最低。

SBRT20U50SLP及SBRT15U50SP5是完善的沟槽型超级势垒整流产品系列首两款面世的整流器,提供从10V到100V宽广的反向电压范围、0.2A到40A的电流处理能力,以及多种不同的封装选择,包括Diodes旗下节省空间的PowerDI123、PowerDI5和PowerDI5060。

如欲了解进一步产品信息,请访问www.diodes.com


本文地址:https://www.eechina.com/thread-144027-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

  • Microchip视频专区
  • EtherCAT®和Microchip LAN925x从站控制器介绍培训教程
  • MPLAB®模拟设计器——在线电源解决方案,加速设计
  • 让您的模拟设计灵感,化为触手可及的现实
  • 深度体验Microchip自动辅助驾驶应用方案——2025巡展开启报名!
  • 贸泽电子(Mouser)专区

相关视频

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表