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电源技术新品列表

待机功耗低于10mW的电源控制器GreenChip SP TEA1721(恩智浦)

恩智浦半导体(NXP)推出新一代GreenChip电源解决方案,待机功耗低于10mW,为业界最低。 恩智浦GreenChip电源IC,也称为开关电源控制器IC,用于手机充电器、平板电脑等移动设备的适配器及家用电 ...
2011年03月18日 09:57   |  
GreenChip   TEA1721   电源控制器  

业内最低外形和最低导通电阻的功率MOSFET(Vishay)

Vishay推出采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内,新的SiA444DJT实现了N沟道MO ...
2011年03月15日 10:04   |  
TrenchFET   功率MOSFET  

效率 (高达 95%)的双路输出同步降压型DC/DC控制器LTC3869/-2(凌力尔特)

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双输出高效率 (高达 95%) 同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3869/-2,当并联时可在通道之间提供良好的电流平衡。凭借其很低的 2mV 检测电压最大失 ...
2011年03月10日 13:02   |  
DC-DC  

用于AC-DC适配器的高性能PWM控制器NCP1234和NCP1236(安森美)

安森美半导体(ON Semiconductor)扩充了应用于家用电子产品的交流-直流 (AC-DC)电源方案阵容,推出NCP1234和NCP1236系列固定频率脉宽调制(PWM)电流模式控制器。这些方案针对膝上型/笔记本电脑、L ...
2011年03月10日 12:58   |  
AC-DC   PWM  

将输出电流提高50%的双极功率晶体管3STR1630(ST)

意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出全新高性能双极功率晶体管系列的首款产品。新产品集多种卓越性能于一身,包括高输出电流、高集电极-发射极截止电压及超低集电极-发射极饱和电压, ...
2011年03月09日 17:10   |  
功率晶体管   双极  

新型电能测量片上系统78M6613(Maxim)

Maxim推出一款新型Teridian/Maxim电能测量片上系统(SoC) 78M6613。78M6613是业内首款AC/DC电源系统SoC电能测量解决方案,能够为数据中心的服务器及其它设备提供更高的管理和控制水平。 在全 ...
2011年03月09日 09:51   |  
电能测量  

超小型LDO稳压器集成电路S-1312/1313系列(精工)

Seiko Instruments Inc. (SII)推出S- 1312/1313系列,这是世上最小型的外层引线封装(0.8 x 0.8 x 0.4 mm)LDO 稳压器,可以分散850mW电力,有热断路功能,高脉动抑制以及超低的0.9微安电流损耗 ...
2011年03月08日 16:35   |  
LDO   稳压器  

实现充电器10mW超低待机功耗的PWM控制器FAN302HL(飞兆)

手机充电器通常都插在插座上,而且大多数时间都不在执行充电工作。但是,它们仍然会消耗电能,因而浪费了能源和用户的金钱。如何降低这些装置的待机功耗,从而节省电能、满足政府法规要求,以及 ...
2011年03月08日 13:50   |  
PWM   充电器   待机功耗  

4.5V下具有业内最低导通电阻的100V N沟道功率MOSFET(Vishay)

Vishay推出两款新的100V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET技术,在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。 ...
2011年03月07日 13:53   |  
N沟道   功率MOSFET  

紧凑灵活型单输入电压DC-DC稳压器iP1837和iP1827(IR)

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出iP1837及iP1827 iPowIR稳压器,适用于要求大电流的负载点 (POL) 应用,包括服务器、网络通信、数据存储及电信设备等。 iP1837和iP182 ...
2011年03月07日 13:49   |  
DC-DC  

刷新最低导通电阻纪录的双芯片P沟道功率MOSFET SiA923EDJ(Vishay)

Vishay推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导 ...
2011年03月02日 11:37   |  
功率MOSFET  

提供精确、可调节的过电流保护的新型USB端口电源控制器ISL6185/6(Intersil)

Intersil公司推出一个用于满足工业标准级 USB 设备的电源要求的新电源控制器产品系列--- ISL6185/6。ISL6185/6 电源控制器为基于 USB 2.0 和 3.0 接口标准的产品提供端口电源,它向设计人员提供 ...
2011年02月28日 09:45   |  
ISL6185   电源控制器  

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