电源技术新品列表

5uA 静态电流 DC/DC 降压型微型模块稳压器 LTM8029(凌力尔特)

5uA 静态电流 DC/DC 降压型微型模块稳压器 LTM8029(凌力尔特)

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5uA 静态电流 DC/DC 降压型微型模块 (µModule) 稳压器 LTM8029,该器件具非常低的压差电压和宽输入及输出工作电压范围。LTM8029 能提 ...
2012年05月09日 15:14   |  
LDO   稳压器  
10/4.5V下导通电阻低至1.0/1.35mΩ的TrenchFET MOSFET(Vishay)

10/4.5V下导通电阻低至1.0/1.35mΩ的TrenchFET MOSFET(Vishay)

Vishay 推出其新一代TrenchFET Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计,在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ,Miller ...
2012年05月08日 10:47   |  
MOSFET   TrenchFET  
实现高功率LED设计灵活性的GreenChip(NXP)

实现高功率LED设计灵活性的GreenChip(NXP)

恩智浦半导体(NXP)推出SSL2109,该款高效降压控制器面向采用非隔离式拓扑结构的高功率非调光型LED照明应用。SSL2109 LED驱动器IC与外部功率开关一同使用,为100V、120V和230V电源输入电压和最 ...
2012年05月08日 10:15   |  
LED照明   SSL2109   降压控制器  

内置高压三极管功率开关的原边控制开关电源SD6955(士兰微电子)

2012年,杭州士兰微电子公司在绿色电源控制器领域继续推出新品----内置高压三极管功率开关的原边控制开关电源SD6955。该产品采用PFM调制技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,具有非常 ...
2012年05月04日 10:57   |  
开关电源  
离板高度仅0.4毫米的高效N通道及P通道MOSFET(Diodes)

离板高度仅0.4毫米的高效N通道及P通道MOSFET(Diodes)

Diodes推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,是一款额定电压为 -25V的P通道器件,体积较 ...
2012年05月02日 15:44   |  
MOSFET  

用于车载、X8R特性的TDK积层陶瓷贴片电容器(TDK)

TDK株式会社开发出用于车载、X8R特性的TDK积层陶瓷贴片电容器,并宣布从2012年4月起开始量产与销售。通过开发即使在150℃的严酷温度环境下也能保持优异的可靠性以及温度特性的电介质材料,成功 ...
2012年04月27日 14:13   |  
车载   电容   陶瓷贴片  
针对高效率AC-DC和隔离式DC-DC电源系统的数字电源控制器ADP1046(ADI)

针对高效率AC-DC和隔离式DC-DC电源系统的数字电源控制器ADP1046(ADI)

Analog Devices, Inc. (ADI)推出针对高效率AC-DC和隔离式DC-DC电源系统的数字电源控制器ADP1046。ADP1046是一款灵活的控制器,具有7个PWM(脉冲宽度调制)逻辑输出,可以通过I2C接口和简单易用 ...
2012年04月27日 14:06   |  
ADP1046   电源控制器   数字电源  
业界最佳功率密度的30V PowerTrench MOSFET(飞兆)

业界最佳功率密度的30V PowerTrench MOSFET(飞兆)

在能源效率标准和最终系统要求的推动之下,电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power ...
2012年04月26日 15:21   |  
功率MOSFET  
转换比领先业界的集成开关降压稳压器(安森美)

转换比领先业界的集成开关降压稳压器(安森美)

安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的开关降压稳压器,用于空间受限、对电磁兼容性(EMC)敏感的汽车娱乐及信息娱乐系统应用。这些高集成度器件为连接电池的开关电源提供业界领先的转换比 ...
2012年04月24日 16:50   |  
NCV89   降压   稳压  
采用TSOP-6封装、搭载最新低压HEXFET的功率MOSFET(IR)

采用TSOP-6封装、搭载最新低压HEXFET的功率MOSFET(IR)

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件,适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应 ...
2012年04月24日 10:52   |  
功率MOSFET  
具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器(TI)

具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器(TI)

德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的 ...
2012年04月23日 16:20   |  
栅极驱动  
15 V、800 mA输出DC-DC调节器ADP2370/71(ADI)

15 V、800 mA输出DC-DC调节器ADP2370/71(ADI)

Analog Devices, Inc. (ADI)推出ADP2370/71 15 V、800 mA输出DC-DC调节器,这款器件针对提高电能使用效率进行了优化,适合使用多种碱性/NiMH电池、锂电池或其它标准电源的电池供电应用。 高 ...
2012年04月23日 16:17   |  
DC-DC  

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