碳化硅MOS电压2000V内阻98mΩ/ASC30N2000MT4PB

发布时间：2024-11-23 10:30    发布者：Eways-SiC
关键词： 光伏逆变 , 储能系统 , DC DC , SVG , 英飞凌
ASC30N2000MT4PB碳化硅MOS，电压2000V内阻98mΩ、Drain Current(continuous)at Tc=25℃ 30 A（DataSheet： ASC30N2000MT4PB.pdf (1015.33 KB) ） 7e016d78-307e-4981-97b9-76d74b710af4.png 456b586a-0960-463a-a0bb-dbb9884d4a04.png 459b6540-22d8-4514-8711-b7f207f16d45.png c50d602d-3d8a-4260-96bc-822000d7dce9.png 6c82a384-f346-46a4-ade3-1555b1ca224a.png



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Eways-SiC 发表于 2025-2-27 17:27:31
碳化硅MOSFET驱动设计合订本 https://pan.baidu.com/s/1IGOLO2oMVZ1wYF80zFcc9g提取码uspc   
Eways-SiC 发表于 2025-4-1 17:31:05
基于双脉冲实验的Sic与IGBT特性对比研究  https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw   
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