碳化硅MOS电压2000V内阻98mΩ/ASC30N2000MT4PB

发布时间：2024-11-23 10:30 发布者：Eways-SiC

ASC30N2000MT4PB碳化硅MOS，电压2000V内阻98mΩ、Drain Current(continuous)at Tc=25℃ 30 A（DataSheet： ASC30N2000MT4PB.pdf (1015.33 KB)

2024-11-23 10:22 上传
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