成本可降低10%，日本推碳化硅衬底新技术
发布时间：2024-7-1 14:38
发布者：eechina
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来源：集邦化合物半导体 据日经中文网报道，日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体材料“碳化硅（SiC）”衬底的新制造技术。 据介绍，中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）来制造SiC衬底的技术。与使用高温下升华的SiC使单晶生长（升华法）的传统技术相比，液相法在增大衬底尺寸以及提高品质方面更具优势。该技术可使衬底的制造成本降低10%以上，良率也会大幅度提升。 由于利用液相法制备SiC衬底较为复杂，此前该技术一直未应用在实际生产中。中央硝子运用基于计算机的计算化学，通过推算溶液的动态等，成功量产出了6英寸SiC衬底。在此基础上，公司打算最早于2030年把尺寸扩大到8英寸。 据了解，自2022年4月起，中央硝子就已经开始使用液相法研究和开发SiC晶圆。 今年4月，中央硝子宣布其“高质量8英寸SiC单晶/晶片制造技术开发”项目通过审查，被日本新能源和工业技术开发组织（NEDO）的视为绿色创新基金项目（项目期限为2022财年至2029财年）。该项目后续将获得来自NEDO的资助，这一进展将有助于中央硝子加速8英寸SiC衬底的开发。 报道指出，为了让客户采用以新技术制作的SiC衬底，中央硝子已开始与欧美的大型半导体企业等展开商讨。中央硝子最早将于2024年夏天开始向客户提供样品，2027～2028年实现商业化。该公司将在日本国内的工厂实施数十亿日元规模的投资，争取将市场份额超过10％。 |
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