Vishay IGBT功率模块在TIG焊机中提高效率并降低传导损耗

发布时间:2016-1-20 13:27    发布者:eechina
关键词: IGBT , 功率模块
这些半桥和单开关管器件采用Trench PT IGBT技术制造,具有低VCE(ON) 和Eoff,可用于大电流逆变级

Vishay Intertechnology, Inc.发布4款专为TIG焊机设计的新型半桥和单开关管IGBT功率模块---VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP250SA60S、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S。这四款器件采用Vishay的独家Trench PT IGBT 技术制造,集电极到发射极的电压极低,只有1.10V,关断开关能量低至11mJ,可用于输出逆变级。

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今天发布的Vishay Semiconductors器件采用Trench PT IGBT结构,实现了比平面IGBT更小的尺寸,具有更高的电流密度和更低的热阻(结到外壳),在性能上丝毫没有缩水。器件的集电极到发射极的电压较低,能够实现极低的传导损耗,同时其关断开关能量比前一代器件低50%,可提高效率和长期可靠性。

半桥VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S把Trench PT IGBT与HEXFRED®和FRED Pt®防并联二极管组合在一起,采用高度极低的17mm INT-A-PAK封装和双片INT-A-PAK封装。单开关管VS-GP250SA60S采用SOT-227封装,典型杂散电感非常低,还不到5nH,通过UL file E78996的认证。

这些模块符合RoHS,工作频率为1kHz,集电极到发射极电压为600V,集电极连续电流为100A~400A。器件可以直接安装散热片,EMI小,减少了对吸收电路的要求。

器件规格表:
产品编号
VS-GP100TS60SFPbF
VS-GP250SA60SVS-GP300TD60SVS-GP400TD60S
IC
100 A
250 A300 A400 A
VCE(ON)
1.16 V
1.10 V1.30 V1.30 V
封装
INT-A-PACK
SOT-227DIAP, 低高度DIAP, 低高度
Eoff
15.3 mJ
11 mJ33 mJ45 mJ
电路
半桥
单开关管半桥半桥
IGBT
Trench PTTrench PTTrench PTTrench PT
二极管
FRED PtHEXFREDHEXFRED

新IGBT功率模块现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周到十周。
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