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具有出色的性价比IKWH30N65WR5XKSA1、IKW30N65WR5XKSA1 650V IGBT晶体管

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发表于 2023-8-9 16:28:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: IKW30N65WR5XKSA1 , IKWH30N65WR5XKSA1 , IGBT , 分立半导体


650V TRENCHSTOP™ 5 WR5反向导通IGBT是特殊反向导通IGBT系列器件,针对通常在焊接逆变器应用中的完全额定硬切换关断进行了优化。这些IGBT以具有吸引力的价格提供良好性能。WR5 IGBT具有出色的性价比,建议用于焊接中的交流-直流PFC级、UPS和太阳能应用。

特性:
功能强大的单片二极管,优化用于ZCS应用
采用TRENCHSTOP™ 5技术的优势如下:
高度稳健,温度特性稳定
极低VCEsat和低Eoff
得益于VCEsat中的正温度系数,可轻松实现并联开关功能
低EMI
低电气参数(取决于温度)
按照JESD-022标准符合目标应用要求
引脚无铅电镀
符合RoHS指令

产品.png
明佳达电子/星际金华(回收、供应)具有出色的性价比IKWH30N65WR5XKSA1、IKW30N65WR5XKSA1 650V IGBT晶体管 分立半导体,如有需要,请联系陈先生qq 1668527835 咨询。

1、IKWH30N65WR5XKSA1 IGBT 650V 75A 190W 通孔 PG-TO247-3-32
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A
功率 - 最大值:190 W
开关能量:870μJ(开),400μJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:133 nC
25°C 时 Td(开/关)值:41ns/398ns
测试条件:400V,30A,27 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:PG-TO247-3-32



2、IKW30N65WR5XKSA1 IGBT晶体管 650V 60A 185W 通孔 PG-TO247-3
IGBT 类型:沟道
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,30A
功率 - 最大值:185 W
开关能量:990μJ(开),330μJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:155 nC
25°C 时 Td(开/关)值:39ns/367ns
测试条件:400V,15A,26 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):95 ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3


典型应用——
焊接
功率因数校正 (PFC)
ZCS - 转换器

注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!
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