无源器件/分立半导体资料下载列表
STS4DNF60L (VBA3638)参数说明：2个N沟道，60V，6A，导通电阻27mΩ@10V，32mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1.5V，封装：SOP8。
应用简介 ...
STP30NF20 (VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。
应用简介：STP30NF20适 ...
ST2341S23RG (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。
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SPD30P06PG (VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。 ...
SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638)参数说明:极性：2个N沟道；额定电压：60V；最大电流：6A；导通电阻：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V；门源电压范围： ...
SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)参数说明：N+P沟道，±60V，正向电流6.5A，反向电流5A，导通电阻28mΩ@10V，34mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)， ...
SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；门 ...
SI3442CDV (VB7322)参数说明：N沟道，30V，6A，导通电阻30mΩ@10V，40mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.2V，封装：SOT23-6。
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Si2399DS-T1-GE3 参数： P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23
应用简介： Si2399DS-T1 ...
Si2342DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封 ...
锂电池充放电技术资料。
2020年07月04日 19:40
Vishay发表一篇新的应用笔记---“智能锂离子充电电池和Power Metal Strip 电阻”。这篇文章总结了在保持锂离子充电电池的高性能过程中所遇 ...
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4 Fiber Optic Solutions for Networking
14 Optical Components for Broadband Networking and Communication Applicati ...
Epson Crystal Devices Catalogue 2014
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