SI4435DY-T1-E3-VB一款P沟道SOP8封装MOSFET应用分析

发布时间：2024-1-10 15:37 发布者：VBsemi

SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；门源电压范围：20Vgs (±V)阈值电压：-1.37V；封装：SOP8

应用简介：SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 是一款P沟道MOSFET，适用于中功率应用的开关控制。
具有低导通电阻，有助于降低功耗和热量产生。
常用于电源开关、电机驱动、LED驱动等。
优势：低导通电阻：有助于降低功耗，提高效率。
适用封装：SOP8封装适合需要中等功率控制的设计。
适用模块：SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 适用于中功率开关控制模块，如电源管理模块、电机驱动模块等。