SI9945AEY-T1-E3-VB一款2个N沟道SOP8封装MOSFET应用分析

发布时间：2024-1-10 15:45 发布者：VBsemi

SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638)参数说明:极性：2个N沟道；额定电压：60V；最大电流：6A；导通电阻：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V；门源电压范围：20Vgs (±V)阈值电压：1.5V；封装：SOP8

应用简介：SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638) 是一款双N沟道MOSFET，适用于需要双通道电流控制的应用。
其低导通电阻和高额定电压适用于高性能应用。
常用于电源开关、电机驱动、H桥控制等。
优势：双通道应用：适用于需要双通道电流控制的电路。
低导通电阻：降低功耗，提高效率。
适用封装：SOP8封装适合中等功率应用。
适用模块：SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638) 适用于双通道电流控制模块，如H桥电路、电机驱动模块等。