SI4559EY-T1-E3-VB一款N+P沟道SOP8封装MOSFET应用分析

发布时间:2024-1-10 15:43    发布者:VBsemi
关键词: SI4559EY-T1-E3 , VBsemi , mosfet
SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)参数说明:N+P沟道,±60V,正向电流6.5A,反向电流5A,导通电阻28mΩ@10V,34mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),正负阈值电压分别为±1.9V,封装:SOP8。
VBA5638.png
应用简介:SI4559EY-T1-E3是一款双沟道MOSFET,适用于高电压和高电流应用,如电源开关、电机驱动、逆变器等领域模块。


SI4559EY-T1-E3.pdf

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SI4559EY-T1-E3

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