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概述NCE0117K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。
特性- VDS = 100 V, ID = 17 A
- RDS(ON)< 70 m Ω@ VGS=10 V (典型值:56mΩ)
- RDS(ON)< 85 m Ω@ VGS=4.5 V (典型值:65 m Ω )
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
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发表于 2026-7-1 14:59:14