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新洁能MOS NCE0224K 特价供应

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发表于 2026-7-1 14:19:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: MOS
概述NCE0224K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON),适用于多种应用场景。


特性
  • VDS = 200V,ID = 24A
  • RDS(ON) < 80 m Ω(在 VGS = 10 V 时,典型值为64mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压电流特性完全表征
  • 具有高 EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力


应用领域
  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源



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