iDEAL Semiconductor 以 SuperQ MOSFET 为高压电池设定新安全标准
发布时间：2025-11-21 17:30
发布者：eechina
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新型 150V/2.5mΩ 元件提供业界领先的短路耐受性，并使 72V+ 电池管理系统的元件数量减少高达 50% iDEAL Semiconductor 推出其 SuperQ MOSFET 技术，专门设计用来解决高压（72V 及更高）电池管理系统（BMS）中关键的安全与效率权衡问题。此新平台为 BMS 放电开关的最重要安全指标——短路耐受能力（SCWC）——设定了业界基准。 
电动移动、无人机与专业电动工具中高压电池组的普及带来了高风险挑战：在外部短路事件中防止灾难性故障，此时电流可能激增至数千安培。放电 MOSFET 是唯一负责在这些极端条件下隔离电池组的元件。 “在高能量电池组中，耐受性是不可妥协的。传统 MOSFET 设计被迫在达成超低 RDS(on) 以提高效率，以及承受巨量短路电流所需的结构完整性之间妥协，”iDEAL Semiconductor 设计副总裁 Phil Rutter 博士表示。“SuperQ 平台消除了这种妥协。我们的专利细胞结构提供了市场最低的导通电阻，同时具备无可匹敌的安全裕度，让设计师有信心建构更小、更可靠且成本更低的电池系统。” 1.4 倍优异的短路耐受电流 iDEAL Semiconductor 的内部测试证明了 SuperQ 的显著性能优势。对 iS15M2R5S1T（150V、2.5mΩ、TOLL 封装）与领先竞争对手的直接比较显示：
SuperQ 元件展现出比其最接近竞争对手高 1.4 倍的短路故障能力。此突破性性能透过专利细胞结构实现，该结构具有更宽的导电区域，在极端压力下最大化功率密度与结构完整性。 更低的系统成本与更高的可靠性 对于电池组设计师而言，此优异的 SCWC 直接转化为系统级优势： • 元件减少：由于每个 SuperQ 元件可处理显著更高的短路电流，设计师可使用高达 50% 更少的并联 MOSFET 以满足相同的安全要求。 • 成本节省：减少元件数量与复杂度导致物料清单（BOM）总成本大幅降低，并简化电路板布局。 • 效率：维持 2.5mΩ 的超低 RDS(on) 最小化导通损耗，延长电池运行时间并减少热管理需求。 SuperQ 产品组合现已上市，提供高达 200V 的元件，为从 72V 到超过 144V 的电池平台提供解决方案。 有关更多细节以及电池管理系统中其应用的白皮书，请访问https://idealsemi.com/battery-management/. |
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