突破电子极限！光驱动半导体技术开启新时代
发布时间：2025-8-5 17:58
发布者：eechina
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德国比勒菲尔德大学与莱布尼茨固态与材料研究所德累斯顿分院（IFW Dresden）的物理学家团队开发出一种新技术，通过超短光脉冲操控原子级薄层半导体。相关研究发表于《自然-通讯》（Nature Communications ），有望推动以光为控制机制的超高速光电元件发展，为下一代技术开辟新路径。 研究团队设计了纳米级天线，将太赫兹光转化为二硫化钼（MoS₂）等原子级薄层材料内的垂直电场，强度可达数百万伏特每厘米。传统方法依赖电子门控生成电场，但响应速度较慢，而新技术直接利用太赫兹光在材料内部产生控制信号，实现了光驱动、超快响应的光电调控，时间尺度可达万亿分之一秒。实验证实，光脉冲能精准调控材料的光电特性。 该研究的理论建模与实验由比勒菲尔德大学完成，而实现该效应的3D-2D纳米天线由IFW德累斯顿团队制备。经过多次结构优化与测试，最终研发出满足性能要求的器件。 这项技术可应用于超快信号控制器件、电子开关及传感器，潜在领域包括通信系统、计算技术、成像及量子科技，为高速数据传输、激光系统等提供新解决方案。 《赛特科技日报》网站（https://scitechdaily.com） |
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